系統用途
　　本測試系統不僅滿足大功率VDMOS的GFS(跨導)測試、IGBT功率參數的測試，還涵蓋中小功率半導體器件的測試，適用于半導體器件生產廠家進行圓片中測或封裝成測，各類整機廠家、科研院所的質量檢測部門進行入廠檢驗、可靠性分析測試
　　測試原理符合相應的國家標準、國家軍用標準。 　　系統特點
　　◆ PC機為系統的主控機
　　◆ 菜單式測試程序編輯軟件操作簡便
　　◆ 預先連接測試自動識別NPN/PNP
　　◆ 0～±2000V程控高壓源(可擴展到±3000V)
　　◆ 高達±500A程控高流源(可擴展到±1000A)
　　◆ ±40V/±40A(可擴展到±80V、±50A)的可編程電壓電流源通過測試系統先進的硬件閉環測試方法實現功率VDMOS的GFS跨導的測試
　　◆ 測試漏流最小分辨率達6.1pA
　　◆ 四線開爾文連接保證加載測量的準確
　　◆ 通過IEEE488接口連接校準數字表傳遞國家 計量標準對系統進行校驗
　　◆ Prober接口、Handler接口可選(16Bin)
　　測試對象
　　二極管/穩壓管/恒流二極管/整流橋/瞬態抑制管： BVR、IR、VF、VZ、RZ
　　三極管： BVCBO、BVCEO、BVCES、BVCER、BVEBO、HFE、ICBO、ICBS、ICEO、 ICES、ICER、IEBO、VBEF、VBCF、VBESAT、VCESAT
　　可控硅： BVGKO、IAKF、IAKR、IGKO、IGT、
　　IH、IL、VGT、VON
　　場效應管： BVDSO、BVDSS、BVDSR、BVDGO、BVGDS、BVGSO、BVGSS、GFS、IDSO、IDSS、IDSR、IG、IGDO、IGSO、IGSS、RDS(on)、VDS(on)、VGS、VGS(th)、VP
　　IGBT： BVCES、BVCGR、BVGES、ICES、IGES、VCESAT、VGETH、VGS(off)
　　達林頓矩陣：ICEX、 IIN(ON)、 IIN(Off)、 VIN(on)、 IR、VCESAT、BVR、HFE、ICEO
　　單結晶體管：Iv、Vv、IP、VP、VEB1、ETA、RBB、IEB1O、IB2
　　光敏二、三極管：ID、IL、VOC、 ISC、BV、BVCE
　　光 耦： CTR、BVECO、BVCBO、BVCEO、ICBO、ICEO、HFE、VBESAT、VCESAT、IR、IAKF、IAKR 　　系統用途
　　本測試系統用于MOSFET、IGBT的動態參數測試。測試原理符合相應的國家標準、國家軍用標準，系統為模塊化、開放式結構，具有升級擴展潛能。 　　系統特點
　　◆ PC機為系統的主控機
　　◆ 菜單式測試程序編輯軟件操作簡便
　　◆ 正負脈沖激勵源
　　◆ 美國Lecroy 400M存儲示波器用于時間測量，最小時間測量分辨率200pS
　　◆ 漏極電壓達600V
　　◆ 漏極電流達200A
　　◆ 通過IEEE488接口連接校準數字表傳遞國家計量標準對系統進行校驗
　　◆ Prober接口、Handler接口可選(16Bin)
　　◆ 可為用戶提供豐富的測試適配器
　　測試參數
　　開啟時間Ton;關斷時間Toff;延遲時間Td;存儲時間Ts;上升時間Tr;下降時間Tf;柵極總電荷Qg;柵源充電電量Qgs;柵漏充電電量Qgd等參數。