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    華潤上華600V和1700V IGBT工藝平臺開發成功

    已有102804次閱讀2012-05-29標簽:華潤微電子,電力電子,變頻器,變流器
        (中國江蘇無錫, 2012529)華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)宣布已開發完成600V1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管)以及600V Trench PT IGBT(溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺,各項參數均達到設計要求,并順利通過可靠性考核。加上去年成功量產的1200V Planar Trench NPT工藝平臺,華潤上華已成為國內首家具備包含前道和背面工藝的全套600V/1200V/1700V NPT IGBT加工能力的代工廠。

    華潤上華已具備60μm以上的IGBT薄片加工能力。此次開發量產的600V Planar NPT IGBT工藝產品,其背面減薄后圓片厚度僅100μm。該工藝產品主要應用于UPS系統(不間斷電源)、太陽能逆變器、變頻家電、工業變頻驅動和電焊機等市場。華潤上華的1700V Planar NPT IGBT工藝平臺更解決了高壓IGBT存在的高溫漏電問題,產品主要應用于變頻器、風力變流器和智能電網等市場。

    華潤上華IGBT工藝平臺的布局立足于滿足節能減排的需求,支持中國在十二五期間新能源政策如太陽能發電和風能發電以及智能電網的發展,同時切合國內電焊機、變頻器、UPS等巨大的市場需求。華潤上華近兩年在IGBT工藝平臺的布局已經取得不少豐碩成果。1200V Planar Trench NPT IGBT已于2011年初量產;600V Trench PT 以及600V 1700V Planar NPT IGBT平臺已于近期開發完成;2500V Planar NPT IGBT的靜態參數和動態參數已經達到設計目標,并通過預考核。同時,600V  1700V Trench NPT IGBT3300V/4500V Planar FS IGBT靜態參數DCV(BR)CES VCE(on) 也已經達到預期結果。

    華潤上華作為國內首家以晶圓代工模式立足中國半導體市場的產業先鋒,自2005DMOS工藝量產以來,成功開發了量產6英寸高壓平面柵400-700V MOSFET6英寸中壓平面柵50-200V MOSFET8英寸低壓溝槽柵20-40V MOSFET8英寸中壓溝槽柵50-80V MOSFET等豐富的功率器件工藝平臺。近兩年在IGBT各類工藝平臺的開發成果,使得華潤上華在功率器件代工的工藝平臺更為全面,將進一步促進國內功率器件產業的發展,提高節能減排關鍵部件的國產化水平和比重。

    ■ 關于華潤微電子有限公司

      華潤微電子有限公司(以下簡稱“華潤微電子”)是華潤集團旗下負責微電子業務投資、發展和經營管理的高科技企業,亦是中國本土規模和影響力最大的綜合性微電子企業之一,連續7年被國家工業和信息化部評為中國電子信息百強企業之一。公司以振興民族微電子產業為己任,矢志成為中國本土最具競爭力的半導體公司。公司為中國內地領先的模擬半導體公司,其業務包括開放式晶圓代工、集成電路設計、集成電路測試封裝及分立器件。擁有5-8英寸晶圓生產線5條,年產晶圓350余萬片,是國內半導體產業鏈最為齊全的企業。

     

      華潤微電子成立于2000年,2002年收購國內最大的微電子企業華晶集團,成為華潤旗下負責微電子業務投資、發展和經營管理的企業,并于2003年啟動6英寸晶圓生產線建設項目;于2006年與新加坡STATS ChipPAC合作發展集成電路封測業務;于2007年啟動8英寸晶圓生產線建設項目,并于2009年落成投產,是國內唯一依托自有資金、技術和市場建立的最高技術水平的晶圓生產線;2011年起實施“走出去”戰略,設立臺灣窗口公司,在美國硅谷投資設立集成電路設計公司。

     關于華潤上華科技有限公司
      華潤上華科技有限公司為華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)旗下從事開放式晶圓代工業務的專業公司,于中國模擬晶圓代工行業處于領先地位,于中國、亞洲及海外地區擁有逾十年服務客戶的經驗。公司為其客戶提供主流和成熟工藝技術的晶圓代工服務,是目前中國內地規模最大的6英寸開放式晶圓代工企業,擁有每月逾11萬片6英寸晶圓產能及3.5萬片8英寸晶圓產能,可為客戶提供更豐富的工藝平臺與代工服務。欲知更多詳情請瀏覽:www.csmc.com.cn

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