開始發售“X系列LV100封裝HVIGBT模塊”
三菱電機株式會社將從9月開始、依次發售2款“X系列LV100封裝HVIGBT※1模塊”,作為面向電氣化鐵路、電力等大型工業機器的大容量功率半導體模塊的新產品。該模塊實現業內最大電流密度※2,有助于實現逆變器的輸出功率和效率;并且采用全新封裝結構,利于并聯應用,實現靈活配置,并提高系統可靠性。今后,計劃還將使用性能超過Si(硅片)更具低損耗化與高頻動作可能性的SiC※3制成LV100封裝產品,以充實產品陣容。
本產品將在 “PCIM Europe 2017”(5月16-18日于德國紐倫堡舉行)以及“PCIM Asia 2017”(6月27-29日于中國上海舉行)上展出。
※1 High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor:高壓絕緣柵型雙極晶體管
※2 截至2017年5月11日,根據本公司的調查
※3 Silicon Carbide:碳化硅
新產品的特點
1.實現業內最大的電流密度,有助于實現逆變器的大功率和高效率
・采用三菱電機CSTBTTM※4結構的第7代IGBT和RFC二極管※5硅片技術,作為Si模塊實現了業內最大※2的電流密度,高達8.57A/cm2<3.3kV/600A>
・AC輸出主端子增加至3個,分散輸出電流,緩解主端子的發熱狀況,實現在大電流工況下可靠運行。
※4 載流子存儲式溝槽柵型雙極晶體管
※5 Relaxed Field of Cathode Diode:本公司獨有二極管,提高了陰極側電子遷移率
2.便于并聯應用,有效支持各個功率段的逆變器
・通過優化端子布局,方便并聯應用,有效支持各個功率段的逆變器
3.通過全新封裝結構,有助于實現逆變器系統的高度可靠性
・通過絕緣板與散熱板的一體化設計,改善熱循環壽命※6與功率半導體芯片的散熱性,由此實現功率循環壽命※7的提高,并有助于實現高度可靠性
※6 因相對較長時間的溫度循環令外殼溫度發生變化時的壽命
※7 因相對較短時間的溫度循環令芯片溫度發生變化時的壽命
發售概要
產品名 |
型號 |
額定電壓 |
額定電流 |
發售日期 |
X系列LV100封裝 HVIGBT模塊 |
CM450DA-66X |
3.3kV |
450A |
自9月起 陸續提供 |
銷售目標
面向大型工業設備的功率半導體模塊,主要用于鐵路列車的的驅動系統、電力傳輸系統和大型工業機械使用的變流器。近年來,公眾在節能環保等方面的意識日益增強,因此有助于逆變器實現更高功率、更高效率、更高可靠性及能支持各種逆變器的輸出容量的各類產品需求強勁。
本公司此次為響應此類需求,將上市實現電流高密度化并采用全新封裝結構的“X系列LV100封裝HVIGBT模塊”的2款新產品(3.3kV/450A・600A)。此外,預定今后還將推出使用SiC制造的LV100封裝產品,以充實產品陣容。
主要規格
封裝 |
型號 |
額定電壓 |
額定電流 |
絕緣耐壓 |
結線 |
封裝尺寸 |
LV100 封裝 |
CM450DA-66X |
3.3kV |
450A |
6kV rms |
2in1 |
100×140×40mm3 |
CM600DA-66X |
600A |
|||||
標準(std) 封裝 |
CM1200HC-66X |
3.3kV |
1200A |
6kV rms |
1in1 |
140×130×38mm3 |
CM1800HC-66X |
1800A |
140×190×38mm3 |
||||
CM1500HC-90XA |
4.5kV |
1500A |
||||
CM900HG-90X |
4.5kV |
900A |
10kV rms |
140×130×48mm3 |
||
CM600HG-130X |
6.5kV |
600A |
||||
CM1800HG-66X |
3.3kV |
1800A |
140×190×48mm3 |
|||
CM1350HG-90X |
4.5kV |
1350A |
||||
CM900HG-130X |
6.5kV |
900A |
||||
CM1000HG-130XA |
1000A |
商標
CSTBT是三菱電機株式會社的注冊商標。
制作工廠
三菱電機株式會社 功率器件制作所
福岡縣福岡市西區今宿東一丁目1番1號
郵編: 819-0192
銷售公司
三菱電機機電(上海)有限公司
上海市長寧區興義路8號上海萬都中心29樓
郵編: 200336
TEL +86-21-5208-2030 FAX +86-21-5208-1502
三菱電機(香港)有限公司
香港太古城英皇道1111號太古城中心一座20樓
TEL +852-2210-0555 FAX +852-2510-9803
共0條 [查看全部] 網友評論