開始發售

功率半導體“SiC-SBD”

三菱電機株式會社此次推出采用了SiC^※1的功率半導體新產品“SiC-SBD^※2”，新產品為有效降低用于空調及太陽能發電中的家電・工業用電源系統的耗電量、縮小其體積做出了貢獻。該產品將于3月1日起陸續發售。

　　※1  Silicon Carbide：碳化硅

※2　Schottky Barrier Diode：肖特基勢壘二極管

新產品的特點

1．通過采用SiC，為降低耗電量、縮小體積做出貢獻

・通過使用SiC大幅降低開關損耗，降低約21％的電力損耗^※3

・實現高速開關，為縮小電抗器等配套零部件的體積做出貢獻

※3　與內置PFC電路的三菱電機產品功率半導體模塊“DIPPFC^TM”上搭載的Si（硅）二極管相比

2．通過采用JBS結構，提高可靠性

・采用pn結與肖特基結相結合的JBS^※4結構

・通過JBS結構提高浪涌電流耐量，從而提高可靠性

※4　Junction Barrier Schottky

銷售目標 

近年來，出于節能環保的考慮，人們對能夠大幅降低電力損耗或利用SiC實現高速開關的功率半導體的期待逐漸高漲。三菱電機自2010年起陸續推出了搭載SiC-SBD、SiC-MOSFET^※5的SiC功率半導體模塊，廣泛應用于空調以及工業機械、鐵路車輛的逆變器系統等，為降低家電及工業機械的耗電量，縮小其體積和重量做出了貢獻。

在這一背景下，此次將發售采用了SiC的功率半導體“SiC-SBD”。 搭載在電源系統中的“SiC-SBD”，將為降低客戶的系統耗電量，縮小體積做出貢獻。

本產品的開發部分得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

※5　Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬氧化物半導體場效應晶體管

環保考慮

符合RoHS^※7指令（2011/65/EU）。

　※7　Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment

 商標 

DIPPFC是三菱電機株式會社的注冊商標。

 制造工廠 

三菱電機株式會社　功率器件制作所

〒819-0192　福岡縣福岡市西區今宿東一丁目1番1號

 銷售公司 

三菱電機機電（上海）有限公司

上海市長寧區興義路8號上海萬都中心29樓

郵編： 200336

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