富士電機將在近期內(nèi)決定生產(chǎn)規(guī)模，外界預估投資額將可達到數(shù)10億日圓，此產(chǎn)線利用二極管及碳化硅制作出功率半導體，并整合絕緣柵雙極晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor;IGBT），以模塊方式提供給工業(yè)用機器。
在此之前，富士電機已然與日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所合作于該研究所的茨城事業(yè)所生產(chǎn)碳化硅功率半導體的試作品，今后透過自家公廠產(chǎn)線，富士電機計劃正式進行量產(chǎn)。
富士電機于2011年會計年度（2010年4月~2011年3月）對功率半導體的投資額高達185億日圓（約2.4億美元），約占該公司總投資額的一半。
碳化硅功率半導體為變頻器（Inverter）中一重要零組件，主要用于控制馬達轉速，近期以來因其省電效果而受到矚目。使用硅為原料的功率半導體因性能已然難以提升，故電力損失可減半的碳化硅功率半導體，可望于2015年成為市場主流。
根據(jù)野村證券金融經(jīng)濟研究所的預估，功率半導體市場規(guī)模將在2013年，達到165億日圓，較2009年增加64%.盡管關于碳化硅功率半導體的市場預估仍然不多，但業(yè)界估計，碳化硅功率半導體市場將可在2019年達到8億美元規(guī)模，較2010年增加達30倍。
為因應未來市場需求，日本多家廠商已然陸續(xù)整頓生產(chǎn)體制，先有Rohm于2010年，后有三菱電機于2011年初量產(chǎn)碳化硅功率半導體。海外方面也有德國InfineonTechnologies、意法半導體（STMicroelectronics）等公司，投入碳化硅功率半導體市場。
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