株洲將建成我國規(guī)模最大的IGBT產(chǎn)業(yè)基地。近日，記者在時(shí)代電氣IGBT項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)看到，鏟土車機(jī)器轟鳴，運(yùn)輸車來來往往，一派繁忙景象。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資14億元。2014年正式投產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只大功率新型半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)值超20億元，并成為我國規(guī)模最大的IGBT產(chǎn)業(yè)基地。
根據(jù)計(jì)劃，今年IGBT產(chǎn)業(yè)基地將完成8英寸IGBT生產(chǎn)廠房、中央動(dòng)力廠房、辦公樓主體基建建設(shè)，計(jì)劃投資4.2億元。
IGBT項(xiàng)目用地總面積8萬余平方米，需完成土方平整39萬立方米。目前已按市規(guī)劃確定的項(xiàng)目標(biāo)高，已平整土地22萬立方米。
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IGBT
IGBT是一種新型功率半導(dǎo)體器件，具有驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)損耗低、工作頻率高、電流密度大等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于軌道交通、航空航天、新能源電動(dòng)汽車、高壓變頻及電力傳輸?shù)戎匾袠I(yè)和領(lǐng)域。此前，全球IGBT技術(shù)，尤其是6英寸以上大功率IGBT關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)品，全部被歐洲、日本少數(shù)大公司壟斷控制。
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