D系列MOSFET采用高壓條帶技術(shù)，使效率和功率密度達到新的水平
賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。
今天發(fā)布的D系列MOSFET基于新的高壓條帶技術(shù)，使效率和功率密度達到新的水平。器件的條帶設(shè)計加上更小的裸片尺寸和端接，使柵極電荷比前一代方案低50%，同時提高了開關(guān)速度，降低了導(dǎo)通電阻和輸入電容。
D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的柵極電荷分別為9nC、6nC和45nC，具有最佳的柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，該值是用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵優(yōu)值系數(shù)(FOM)，400V、500V和600V器件的FOM分別為7.65 Ω-nC、15.6 Ω-nC和12.3 Ω-nC。
新的D系列MOSFET采用簡單的柵極驅(qū)動電路、非常耐用的本體二極管，易于設(shè)計到更緊湊、更輕、發(fā)熱更少的終端產(chǎn)品中。器件符合RoHS指令，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，雪崩(UIS)定級讓器件能夠穩(wěn)定可靠地工作。
器件規(guī)格表：
|
型號
|
電壓 (V)
|
ID @ 25 ºC (A)
|
RDS(ON) @ max 10 V (Ω)
|
Qg 典型值 (nC)
|
封裝
|
|
SiHP6N40D
|
400
|
6
|
1.0
|
9
|
TO-220
|
|
SiHF6N40D
|
400
|
6
|
1.0
|
9
|
TO-220F
|
|
SiHP10N40D
|
400
|
10
|
0.55
|
15
|
TO-220
|
|
SiHF10N40D
|
400
|
10
|
0.55
|
15
|
TO-220F
|
|
SiHG25N40D
|
400
|
25
|
0.17
|
44
|
TO-247
|
|
SiHP25N40D
|
400
|
25
|
0.17
|
44
|
TO-220
|
|
SiHU3N50D
|
500
|
3
|
3.0
|
6
|
IPAK/TO-251
|
|
SiHD3N50D
|
500
|
3
|
3.0
|
6
|
DPAK/TO-252
|
|
SiHD5N50D
|
500
|
5
|
1.5
|
10
|
DPAK/TO-252
|
|
SiHP5N50D
|
500
|
5
|
1.5
|
10
|
TO-220
|
|
SiHF5N50D
|
500
|
5
|
1.5
|
10
|
T-Max®
|
|
SiHU5N50D
|
500
|
5
|
1.5
|
10
|
IPAK/TO-251
|
|
SiHP8N50D
|
500
|
8
|
0.85
|
15
|
TO-220
|
|
SiHF8N50D
|
500
|
8
|
0.85
|
15
|
TO-220F
|
|
SiHP14N50D*
|
500
|
14
|
0.40
|
30
|
TO-220
|
|
SiHG14N50D*
|
500
|
14
|
0.40
|
30
|
TO-247AC
|
|
SiHF18N50D*
|
500
|
18
|
0.27
|
37
|
TO-220F
|
|
SiHG460B/IRFP460B
|
500
|
20
|
0.25
|
85
|
TO-247AC
|
|
SiHG22N50D*
|
500
|
22
|
0.23
|
52
|
TO-247AC
|
|
SiHG32N50D*
|
500
|
32
|
0.16
|
72
|
TO-247AC
|
|
SiHS36N50D*
|
500
|
36
|
0.13
|
92
|
Super TO-247
|
|
SiHP17N60D
|
600
|
17
|
0.34
|
45
|
TO-220
|
|
SiHG17N60D
|
600
|
17
|
0.34
|
45
|
TO-247AC
|
目標(biāo)標(biāo)準，產(chǎn)品即將面世
新的D系列MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將在2012年3季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十六周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。
新的D系列MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將在2012年3季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十六周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。
共0條 [查看全部] 網(wǎng)友評論