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        Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有諸如超低導通電阻、超低柵極電荷等高性能指標

        已有104806次閱讀2012-05-03標簽:半導體 低導通電阻
          
          D系列MOSFET采用高壓條帶技術,使效率和功率密度達到新的水平

          賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通電阻、超低柵極電荷和3A~36A電流,采用多種封裝。

          今天發布的D系列MOSFET基于新的高壓條帶技術,使效率和功率密度達到新的水平。器件的條帶設計加上更小的裸片尺寸和端接,使柵極電荷比前一代方案低50%,同時提高了開關速度,降低了導通電阻和輸入電容。
          400V、500V和600V器件的導通電阻分別為0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的導通電阻意味著極低的傳導和開關損耗,能夠在服務器和通信電源系統、焊接、等離子切割、電池充電器、熒光燈、高強度放電(HID)照明、半導體設備和電磁加熱的高功率、高性能開關電源應用中節約能源。

          D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的柵極電荷分別為9nC、6nC和45nC,具有最佳的柵極電荷與導通電阻乘積,該值是用在功率轉換應用中MOSFET的關鍵優值系數(FOM),400V、500V和600V器件的FOM分別為7.65 Ω-nC、15.6 Ω-nC和12.3 Ω-nC。

          新的D系列MOSFET采用簡單的柵極驅動電路、非常耐用的本體二極管,易于設計到更緊湊、更輕、發熱更少的終端產品中。器件符合RoHS指令,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定,雪崩(UIS)定級讓器件能夠穩定可靠地工作。
        器件規格表:
        型號
        電壓 (V)
        ID @ 25 ºC (A)
        RDS(ON) @ max 10 V (Ω)
        Qg 典型值 (nC)
        封裝
        SiHP6N40D
        400
        6
        1.0
        9
        TO-220
        SiHF6N40D
        400
        6
        1.0
        9
        TO-220F
        SiHP10N40D
        400
        10
        0.55
        15
        TO-220
        SiHF10N40D
        400
        10
        0.55
        15
        TO-220F
        SiHG25N40D
        400
        25
        0.17
        44
        TO-247
        SiHP25N40D
        400
        25
        0.17
        44
        TO-220
        SiHU3N50D
        500
        3
        3.0
        6
        IPAK/TO-251
        SiHD3N50D
        500
        3
        3.0
        6
        DPAK/TO-252
        SiHD5N50D
        500
        5
        1.5
        10
        DPAK/TO-252
        SiHP5N50D
        500
        5
        1.5
        10
        TO-220
        SiHF5N50D
        500
        5
        1.5
        10
        T-Max®
        SiHU5N50D
        500
        5
        1.5
        10
        IPAK/TO-251
        SiHP8N50D
        500
        8
        0.85
        15
        TO-220
        SiHF8N50D
        500
        8
        0.85
        15
        TO-220F
        SiHP14N50D*
        500
        14
        0.40
        30
        TO-220
        SiHG14N50D*
        500
        14
        0.40
        30
        TO-247AC
        SiHF18N50D*
        500
        18
        0.27
        37
        TO-220F
        SiHG460B/IRFP460B
        500
        20
        0.25
        85
        TO-247AC
        SiHG22N50D*
        500
        22
        0.23
        52
        TO-247AC
        SiHG32N50D*
        500
        32
        0.16
        72
        TO-247AC
        SiHS36N50D*
        500
        36
        0.13
        92
        Super TO-247
        SiHP17N60D
        600
        17
        0.34
        45
        TO-220
        SiHG17N60D
        600
        17
        0.34
        45
        TO-247AC
        目標標準,產品即將面世
          新的D系列MOSFET現可提供樣品,將在2012年3季度實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十二周到十六周。

        VISHAY簡介
          Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站 www.vishay.com。
         
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