●開關損耗降低85％

●與傳統(tǒng)的400A級別的Si-IGBT模塊相替換時，體積減小約50％

●損耗低，因此發(fā)熱少，可減小冷卻裝置體積，從而可實現(xiàn)設備整體的小型化

本產(chǎn)品計劃在羅姆總部工廠（京都市）從3月份下旬開始量產(chǎn)、出貨。
       近年來，在工業(yè)設備和太陽能電池、電動汽車、鐵路等電力電子技術領域，與Si元件相比，電力轉換時損耗少、材料性能卓越的SiC元件/模塊的實際應用備受期待。

       根據(jù)估算，將傳統(tǒng)的Si半導體全部替換為SiC后的節(jié)能效果，僅在日本國內(nèi)就相當于4座核電站的發(fā)電量※2，因此，各公司都已強化了相關研究開發(fā)。在這種背景下，羅姆于2010年在世界上率先成功實現(xiàn)了SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種SiC元件的量產(chǎn)，在行業(yè)中遙遙領先。
      與此同時，關于“全SiC”模塊，即所內(nèi)置的功率元件全部將Si替換為SiC，多年來，雖然全世界的制造商多方試制，但在可靠性上存在諸多課題，一直無法實現(xiàn)量產(chǎn)。

      此次，通過羅姆開發(fā)出的獨創(chuàng)的缺陷控制技術和篩選法，使可靠性得以確保。另外，針對SiC制備過程中特有的1700℃高溫工序，為了防止其發(fā)生特性劣化，羅姆開發(fā)了控制技術，于世界首家確立了“全SiC”功率模塊的量產(chǎn)體制。

       內(nèi)置最先進的SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種元件，與傳統(tǒng)的Si-IGBT模塊相比，可以將電力轉換時的損耗降低85％。另外，與IGBT模塊相比，在10倍于其的頻率－100kHz以上的高頻環(huán)境下工作成為可能。該產(chǎn)品的額定電流為100A，通過高速開關和低損耗化，可以與額定電流為200～400A的Si-IGBT模塊進行替換。

       不僅如此，通過設計和工藝的改善，羅姆還成功開發(fā)出散熱性卓越的模塊。替換傳統(tǒng)的400A級別的Si-IGBT模塊時，體積可減小約50％。由于損耗低，因此發(fā)熱少，可減小外置的冷卻裝置體積，從而非常有助于設備整體的小型化。

        據(jù)了解，SiC為主的功率元件事業(yè)將成為羅姆發(fā)展戰(zhàn)略定位之一，該公司在加強實現(xiàn)更高耐壓、更大電流的SiC元件/模塊的產(chǎn)品陣容的同時，也將不斷推進完善SiC 溝槽式MOSFET和SiC-IPM（智能電源模塊）等SiC相關產(chǎn)品的陣容與量產(chǎn)化。