除了現有采用英飛凌IGBT芯片的SEMITRANS模塊，SEMITRANS模塊現還可以選擇使用阻斷電壓為1200V的富士V-IGBT芯片。新的V-IGBT有三種不同的模塊尺寸，8種不同的功率等級和3種開關拓撲。這些模塊的額定電流為150A至600A。SEMITRANS 3和4模塊是超低電感模塊，模塊電感僅為15nH。IGBT 5000A/µs的典型開關速度會帶來75V的模塊過電壓。相比之下，競爭對手產品的平均模塊過電壓在90V至125V之間。模塊為單開關、半橋或斬波器拓撲結構，專門用于工業驅動器中或任何其他給定應用領域的變頻器。
標準SEMITRANS模塊擁有4000V/min的高絕緣強度，比2500V/Min的全球絕緣強度規范高60%，凸顯SEMITRANS模塊的優秀品質。除了具有IGBT2、IGBT2快速、IGBT3或IGBT4技術特點的1200V模塊，這些模塊還有600和1700V的兩種阻斷電壓可供選擇。
現有三種標準SEMITRANS外殼尺寸，34mm寬的SEMITRANS 2和62mm寬的SEMITRANS 3和4模塊。也提供用于非標準客戶應用的額外尺寸，例如，帶有6脈沖逆變橋電路的SEMITRANS 6，具有用于三電平逆變器以及電流監控電路的SEMITRANS 5，這些是通過將分流器集成到模塊中實現的。SEMITRANS 9是為鐵路應用而開發的，可以提供高達9kV的絕緣強度。 SEMITRANS模塊均采用銅基板。
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