芯片安裝采用燒結工藝，可承受更高的運行溫度，使用壽命更長

適用于400kW-1.8MW的應用

紐倫堡，2009年5月11日 – SKiiP^® 4，新一代智能IGBT功率模塊，相比采用非燒結工藝的模塊，使用壽命更長，可用于溫度更高的應用中。該SKiiP^®功率組件是目前市場上最強大的智能功率模塊，比其前任SKiiP^®3的功率大33% 。IPM主要用于風能和太陽能應用、牽引應用、電梯系統以及輸出功率在400kW-1.8MW的工業驅動器中。

 在相同的條件和模塊尺寸下，SKiiP^®  4所提供的功率比該系列模塊的當前版本SKiiP^®  3 多33 ％。一方面，我們可以開發更強大、結構更緊湊的變頻器，從而降低成本。功率的增加依賴于使用了創新壓接系統、改進的散熱器以及IGBT4 、CAL4芯片技術。此外， 首次在上層功率端使用6個并聯的半橋，而非目前所普遍采用的4個半橋。

SKiiP^®  4模塊中，半導體芯片不是焊接到陶瓷基板上，而是采用燒結技術連接，這意味著在不犧牲可靠性的情況下可以工作在更高溫度下，某些情況下甚至使可靠性得到增強。燒結接合處是一個薄銀層，熱阻比焊接鍵合的低。由于銀的熔點高，可防止過早產生材料疲勞。

與其前任一樣， SKiiP^®  4組件具備優良的匹配：散熱器、功率模塊，驅動器和保護傳感器/功能。這里，基于壓力系統的安裝和連接技術發揮了至關重要的作用。客戶也可以選擇IPM運行在實際工作條件下的獨特老化實驗。通過這些實驗，可以識別早期產生的硅失效并將有缺陷的芯片清除。實驗中，模塊是被暴露在最大可能結溫下。

 無焊接壓接系統和集成層疊電源軌跡確保均勻的電流分布。每個IGBT和二極管芯片單獨連接到主端子上，使模塊電阻很低。這些芯片不是焊接到陶瓷基板上，而是通過燒結過程連接。由于這些模塊沒有底板，DCB和散熱器之間的無焊接連接是準柔韌的，這就是為什么熱循環能力沒有上限。可提供阻斷電壓為1200V和1700V的 SKiiP^® 4，采用雙管拓撲結構，每個IPM有3、4或6個并聯的半橋。

 用于開關信號的數字信號傳輸是確保極高可靠性和開關信號抗干擾的關鍵。除各種技術優勢外，它可以確保高度的信號完整性以及抗干擾。傳輸取決于非常強大且對溫度波動或老化效應不敏感的元件的參數，開關和傳感器信號傳輸信道具有電氣隔離，這意味著用戶無需提供額外的隔離。為了更加完美，新 SKiiP^®  4 IPM還有一個多級輸出級，以減少過電壓，輸出級中還包括其他各種保護功能。最后，在用戶側還提供優化評估的診斷通道。
 

圖： 新的SKiiP^®  4 IPM功率提升高達33%

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產品:

賽米控具有兩萬一千多種不同的功率半導體器件，產品涵蓋了芯片、分離二極管/晶閘管、功率模塊（IGBT/MOSFET/二極管/晶閘管）、驅動電路、保護元件以及集成子系統。

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“SEMIKRON inside” 已經是電氣傳動、風力發電、太陽能、電動汽車、焊機、電梯、電源、傳送帶和有軌電車等新興發展行業的一個品牌。作為電力元器件行業的革新者，賽米控很多先進的技術已經成為大家所公認的工業標準。

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