芯片安裝采用燒結(jié)工藝，可承受更高的運行溫度，使用壽命更長

適用于400kW-1.8MW的應用

紐倫堡，2009年5月11日 – SKiiP^® 4，新一代智能IGBT功率模塊，相比采用非燒結(jié)工藝的模塊，使用壽命更長，可用于溫度更高的應用中。該SKiiP^®功率組件是目前市場上最強大的智能功率模塊，比其前任SKiiP^®3的功率大33% 。IPM主要用于風能和太陽能應用、牽引應用、電梯系統(tǒng)以及輸出功率在400kW-1.8MW的工業(yè)驅(qū)動器中。

 在相同的條件和模塊尺寸下，SKiiP^®  4所提供的功率比該系列模塊的當前版本SKiiP^®  3 多33 ％。一方面，我們可以開發(fā)更強大、結(jié)構(gòu)更緊湊的變頻器，從而降低成本。功率的增加依賴于使用了創(chuàng)新壓接系統(tǒng)、改進的散熱器以及IGBT4 、CAL4芯片技術。此外， 首次在上層功率端使用6個并聯(lián)的半橋，而非目前所普遍采用的4個半橋。

SKiiP^®  4模塊中，半導體芯片不是焊接到陶瓷基板上，而是采用燒結(jié)技術連接，這意味著在不犧牲可靠性的情況下可以工作在更高溫度下，某些情況下甚至使可靠性得到增強。燒結(jié)接合處是一個薄銀層，熱阻比焊接鍵合的低。由于銀的熔點高，可防止過早產(chǎn)生材料疲勞。

與其前任一樣， SKiiP^®  4組件具備優(yōu)良的匹配：散熱器、功率模塊，驅(qū)動器和保護傳感器/功能。這里，基于壓力系統(tǒng)的安裝和連接技術發(fā)揮了至關重要的作用。客戶也可以選擇IPM運行在實際工作條件下的獨特老化實驗。通過這些實驗，可以識別早期產(chǎn)生的硅失效并將有缺陷的芯片清除。實驗中，模塊是被暴露在最大可能結(jié)溫下。

 無焊接壓接系統(tǒng)和集成層疊電源軌跡確保均勻的電流分布。每個IGBT和二極管芯片單獨連接到主端子上，使模塊電阻很低。這些芯片不是焊接到陶瓷基板上，而是通過燒結(jié)過程連接。由于這些模塊沒有底板，DCB和散熱器之間的無焊接連接是準柔韌的，這就是為什么熱循環(huán)能力沒有上限。可提供阻斷電壓為1200V和1700V的 SKiiP^® 4，采用雙管拓撲結(jié)構(gòu)，每個IPM有3、4或6個并聯(lián)的半橋。

 用于開關信號的數(shù)字信號傳輸是確保極高可靠性和開關信號抗干擾的關鍵。除各種技術優(yōu)勢外，它可以確保高度的信號完整性以及抗干擾。傳輸取決于非常強大且對溫度波動或老化效應不敏感的元件的參數(shù)，開關和傳感器信號傳輸信道具有電氣隔離，這意味著用戶無需提供額外的隔離。為了更加完美，新 SKiiP^®  4 IPM還有一個多級輸出級，以減少過電壓，輸出級中還包括其他各種保護功能。最后，在用戶側(cè)還提供優(yōu)化評估的診斷通道。
 

圖： 新的SKiiP^®  4 IPM功率提升高達33%

關于賽米控：

成立于1951年，總部位于德國的賽米控公司是一家在全球有3000名員工的家族式企業(yè)。賽米控遍布全球的35家子公司網(wǎng)絡能夠為客戶提供快速高效的現(xiàn)場服務。一家主要的市場研究機構(gòu)IMS的調(diào)查結(jié)果表明，賽米控是二極管/晶閘管市場的領導者，并且占有全球37％的市場份額。

產(chǎn)品:

賽米控具有兩萬一千多種不同的功率半導體器件，產(chǎn)品涵蓋了芯片、分離二極管/晶閘管、功率模塊（IGBT/MOSFET/二極管/晶閘管）、驅(qū)動電路、保護元件以及集成子系統(tǒng)。

應用:
“SEMIKRON inside” 已經(jīng)是電氣傳動、風力發(fā)電、太陽能、電動汽車、焊機、電梯、電源、傳送帶和有軌電車等新興發(fā)展行業(yè)的一個品牌。作為電力元器件行業(yè)的革新者，賽米控很多先進的技術已經(jīng)成為大家所公認的工業(yè)標準。

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