在一些功率半導體制造商仍在改進焊接觸點以滿足汽車工業的高溫需求時，無焊接壓接技術和燒結芯片已成為將溫度循環能力提高到Δ100K下10,000次的最佳解決方案。由于具有了Tjunction = 175 °C 和Tambient = 135 °C的高溫能力，因而可省去一個單獨的冷卻回路。
無焊接壓接系統和內部層疊母線使得電流均勻分布。每個IGBT和二極管芯片自身都有至主端子的連接。這將帶來小模塊電阻RCC’+EE’≤ 0.3 m，而通常焊接模塊的電阻約為1.1 m。
為實現高溫循環能力和快速無焊接安裝，至驅動板的連接也是無焊接的，帶有彈簧。
芯片未經焊接但經過燒結，以實現高功率循環能力。燒結接點只是薄薄的鍍銀層，該鍍銀層比焊接點具有更優越的熱阻，并且由于銀的高熔點和無接頭疲勞，從而延長了產品的使用壽命。
因為沒有基板，DCB至散熱器的連接具有“移動”的能力，且不對溫度循環可靠性帶來任何的限制。SKiM®經得起嚴格的汽車工業標準的考驗，具有高度的抗沖擊和振動應力的能力。
SKiM®模塊的封裝和連接技術充分利用了硅的能力，從而產生了一個具有良好成本效益的解決方案。SKiM® IGBT模塊集成了賽米控在壓接技術方面所具有的超過15年的經驗。目前，已有1000輛混合動力巴士和400,000輛電動叉車由壓接技術驅動。
17mm的標準端子高度和與其它六組件模塊相似的配置保證了快速的設計。目前，有兩種尺寸的模塊可供貨：SKiM® 63（120 x 160 mm²）和 SKiM® 93（150 x 160 mm²）
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