SEMiX®1 IGBT 模塊
SEMiX®1 IGBT模塊是基于相同的設計原則而設計的：模塊的兩端分別放置著17mm高的AC和DC端子，這樣可減小電感并簡化直流環(huán)節(jié)的結(jié)構(gòu)。得益于采用了深受好評的SEMIKRON彈性觸點，帶有驅(qū)動等的控制PCB板無需任何的接線或焊接即可直接安裝在功率模塊上。
該模塊采用了1200V IGBT4 溝槽技術(shù)和SEMIKRON新的CAL I4二極管。SEMiX®1允許的最大直流電流為250A，額定芯片電流為150A，最高結(jié)溫為175°C。
SEMiX® IGBT和整流器模塊為設計結(jié)構(gòu)緊湊的15kW至110kW平板型變頻器提供了一個新的機遇。該系列產(chǎn)品很快贏得了市場，2006年的營業(yè)額增長了136%。由于兩者的外殼高度相同，IGBT模塊和輸入橋整流器模塊可以直接通過母線連接，而不需要接線，這與采用傳統(tǒng)整流器相比，可以節(jié)省15%的空間，減小雜散電感，并且可將產(chǎn)品的生產(chǎn)時間縮短一半。目前，600V、1200V和1700V的IGBT模塊有四款尺寸兼容產(chǎn)品可提供給用戶，其電流范圍為75A到600A，適用于半橋、六組件和斬波器拓撲結(jié)構(gòu)。
SEMiX®1 IGBT市場的樂觀景象我們可以預見，它永遠是您最佳的選擇！
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