紐倫堡 2006年11月27日- SEMiSTART，一款來自賽米控的新型反并聯可控硅模塊（W1C 開關）。該模塊被設計用于過載情況，它有三種不同的尺寸和五種不同的電流等級。尺寸最小的模塊可承受560A的過載電流，最大的則能夠承受最高3000A的過載電流長達20秒（在啟動階段）；最大阻斷電壓為1400 V 和1800 V。
與采用傳統的平板可控硅的設計不同，SEMiSTART模塊中的可控硅芯片是采用壓接技術直接壓在兩個散熱器之間。通過使用優化過的芯片冷卻技術，從而可以實現結構高度緊湊且穩健可靠的系統。此外，散熱器除用于散熱還作為電氣連接器。使用SEMiSTART模塊，軟啟動器的結構可以更為緊湊，從而帶來更高的性價比。
由于可控硅芯片被直接壓置在散熱器之間，所以這些模塊擁有更少的熱電阻Rth(j-s) 。總體上，新模塊的接觸層很少，這意味著與傳統方案相比新模塊的熱阻更小，舉例來說，這種新模塊的總熱阻只相當于傳統方案中平板可控硅和散熱器之間的熱接觸熱阻的一半多，這主要是由于新模塊中去掉了阻礙熱量從芯片向散熱器傳輸的電氣絕緣物質。
SEMiSTART 模塊安裝便利，不需要諸如安裝平板可控硅所需的安裝夾具以及在半導體模塊中所需的導熱硅脂。
該系列新產品符合歐盟RoHS和WEEE指令的規定。
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