IRFHE4250D配備IR新一代硅技術，并采用了適合背面貼裝的6×6 PQFN頂部外露纖薄封裝，為電源模塊帶來更多封裝選擇。這款封裝結合了出色的散熱性能、低導通電阻 （Rds（on）） 與柵極電荷 （Qg），提供卓越的功率密度和較低的開關損耗，從而縮減電路板尺寸，提升整體系統效率。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“高達60A額定值的IRFHE4250D FastIRFET MOSFET是全球首款頂部外露電源模塊器件，提供行業領先的功率密度，有效滿足要求頂尖效率的高性能DC-DC應用。”
與IR的其它電源模塊器件一樣，IRFHE4250D可與各種控制器或驅動器共同操作，以提供設計靈活性，同時以小的占位面積實現更高的電流、效率和頻率，還為IR電源模塊帶來全新的6×6 PQFN封裝選擇。
IRFHE4250D符合工業標準及第二級濕度敏感度 （MSL2） 標準，并采用了6×6 PQFN頂部外露封裝，備有符合電子產品有害物質管制規定 （RoHS） 的環保物料清單。
產品現已接受批量訂單。
規格
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