今天發布的電容器適用于武器和雷達系統、航空電子設備和太空用電子產品里的濾波器、去耦和儲能應用。在這些安全攸關的應用里，為避免設備發生災難性的故障，器件內置的熔絲在5A電流下，10ms內可執行保護動作，為保證激活進行了優化，同時避免虛假觸發。T42采用了多陽極“鏡像”結構，這種結構可以將ESR降低至少50%。器件里的每個內部陽極有一個專用熔絲，萬一出現不太可能的故障情況下，熔絲使陽極不受影響，保持一定的電容。根據應用不同，這種容錯設計能夠實現降級的操作模式，而不至于完全喪失功能。
T42系列的外形尺寸為M2，采用Vishay專利的無引線框架多陣列封裝(MAP)技術，能夠提高單位體積內的電容量。器件采用玻璃加固的密封底座，去掉了有問題的J引線結構和有關的電流環路，從而使ESL比傳統電容器減小2/3。這樣就實現了的10μF～470μF高容量，±10%和±20%的公差，以及16VDC～75VDC電壓。由于容量高于傳統器件，使用這些電容器可減少整體的元器件數量，并簡化設計。
T42系列的工作溫度為-55℃～+85℃，在電壓降額條件下溫度可達+125℃，最大紋波電流為0.7A～1.8A。器件符合RoHS，提供完全無鉛或錫/鉛端接。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。
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