2014 年 3 月4 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布首顆通過AEC-Q101認(rèn)證的采用ThunderFET技術(shù)的TrenchFET功率MOSFET。為提高效率和節(jié)省汽車應(yīng)用里的空間，Vishay Siliconix 100V N溝道SQJ402EP 、SQJ488EP 和SQD50N10-8m9L 提供了PowerPAK SO-8L和DPAK封裝的產(chǎn)品中最低的導(dǎo)通電阻。
Vishay的ThunderFET技術(shù)可在單位晶粒面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻。在更低導(dǎo)通電阻是決定因素的應(yīng)用場(chǎng)合，這項(xiàng)技術(shù)使采用DPAK封裝的SQD50N10-8m9L在10V下實(shí)現(xiàn)了8.9mΩ的超低導(dǎo)通電阻；在空間是首要因素的時(shí)候，SQJ402EP和SQJ488EP在10V下11mΩ的導(dǎo)通電阻與之相近，而小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L封裝的尺寸只有DPAK封裝的一半。
今天推出的這些MOSFET的連續(xù)漏極電流達(dá)到50A，適用于汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元里的噴射增壓應(yīng)用和照明控制單元里用于照明鎮(zhèn)流器的反激式轉(zhuǎn)換器。器件的柵極電荷低至18nC，具有低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(該參數(shù)是DC/DC轉(zhuǎn)換器里MOSFET的優(yōu)值系數(shù))，可減少開關(guān)損耗，并提高整體系統(tǒng)效率。
SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L通過了100%的Rg和UIS測(cè)試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定和RoHS指令2011/65/EU。器件的工作溫度為-55℃～+175℃。
器件規(guī)格表：
|
產(chǎn)品編號(hào) |
SQD50N10-8m9L |
SQJ402EP |
SQJ488EP |
|
|
封裝 |
DPAK (TO-252) |
PowerPAK SO-8L |
PowerPAK SO-8L |
|
|
VDS (V) |
100 |
100 |
100 |
|
|
VGS (V) |
20 |
20 |
20 |
|
|
RDS(ON) (mΩ) @ |
10 V |
8.9 |
11 |
21 |
|
4.5 V |
11.2 |
14 |
25.8 |
|
|
QG (nC) |
46 |
34 |
18 |
|
|
ID (A) |
50 |
32 |
42 |
|
|
IDM (A) |
200 |
75 |
170 |
|
SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L已加入Vishay此前發(fā)布的通過AEC-Q101認(rèn)證的SQ Rugged系列。
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