賓夕法尼亞、MALVERN - 2013 年 9 月5 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，擴充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET®Gen III P溝道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在便攜式電子產品中節省空間及提高效率而設計的，占位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅動下的導通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。
對于電源管理中的負載和電池開關，以及智能手機、平板電腦、移動計算設備、硬盤驅動器和固態驅動的同步降壓轉換應用里的控制開關，-12 V SiA467EDJ提供了13mΩ(-4.5V)的極低導通電阻。-20V SiA437DJ的導通電阻為14.5mΩ(-4.5V)，-30V SiA449DJ和SiA483DJ的導通電阻分別只有20mΩ(-10V)和21mΩ(-10V)。另外，SiA437DJ和SiA467EDJ的電流等級高達30A，承受很大的涌入電流，可用于負載開關。
器件的低導通電阻使設計者能在其電路中實現更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池壽命，同時這些器件的超小PowerPAK SC-70封裝可以節省寶貴的電路板空間。對于小型負載點(POL)DC/DC和其他同步降壓應用，MOSFET的P溝道技術不需要使用電平轉換電路或"自舉"器件，簡化了柵極驅動的設計。
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ進行了100%的Rg測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。
器件規格表：
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編號
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VDS (V)
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VGS (V)
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RDS(ON) (mΩ) @
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−10 V
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−4.5 V
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−2.5 V
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−1.8 V
|
−1.5 V
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SiA467EDJ
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-12
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8
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-
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13
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19.5
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40
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-
|
|
SiA437DJ
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-20
|
8
|
-
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14.5
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20.5
|
33.0
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65.0
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SiA449DJ
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-30
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12
|
20
|
24
|
38
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-
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-
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SiA483DJ
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-30
|
20
|
21
|
30
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-
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-
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-
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SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的"財富1000 強企業"，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及"一站式"服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。
TrenchFET®和PowerPAK®是Siliconix公司的注冊商標。
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