據最新調查報告，預計2012年全球分立功率半導體市場將同比增長3.7%，產值達134億美元。相比2011年的2.2%有了微幅的提升，同時，細分市場數據顯示，對于不同的產品以及應用市場可說是冰火兩重天。
2012年增長最快的分立器件和模塊產品仍為IGBT。2011年，IGBT銷售額首次超過10億美元，年內大部分時間都處于供不應求的狀態。這種境況一直到歐債危機及中國政府暫停了相應的能源補貼之后才有所減緩。2012年，IGBT增長的動力來自于工業電機驅動器和電源模塊，以及混合動力汽車應用。預計雖然增長會放緩，但是IGBT市場仍將取得19%的增幅。
然而2011年，功率MOSFET、可控硅和GTO、IGCT、GCT的增長緩慢。MOSFET和整流器在功率半導體市場所占的份額總和將由2011年的75%下滑至2012年的74%以下，到2016年將進一步下滑至僅72%。
全球IGCT市場規模2012年為3.9億人民幣，增長趨勢受經濟影響，開始放緩。
圖表：全球IGCT銷售額及增長趨勢
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