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　　首款40V P溝道Gen III器件，首款PowerPAK 1212-8S封裝的30V MOSFET

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 7 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V柵極驅動下具有業內較低的導通電阻，是首款-40V P溝道Gen III器件；SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封裝的-30V MOSFET。

　　SiS443DN和SiSS27DN適用于24V、19V和12V負載開關，以及移動計算、智能手機和平板電腦中電源管理等各種應用的適配器和電池開關。這些器件的低導通電阻在業內領先，使設計者能夠在電路里實現更低的壓降，更有效地使用能源，并延長電池使用時間。

　　在需要更高電壓的應用里，3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封裝的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高導通電阻。在導通電阻非常重要的場合，SiSS27DN提供了極低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)導通電阻，采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封裝。

SiS443DN和SiSS27DN進行了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。

器件規格表：

型號		SiSS27DN	SiS443DN
V_DS(V)		-30	-40
V_GS(V)		20	20
R_DS(ON) (mΩ) @	10 V	5.6	11.7
	6 V	7	-
	4.5 V	9	16
	封裝	PowerPAK 1212-8S	PowerPAK 1212-8

新款P溝道MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

TrenchFET^®和PowerPAK^®是Siliconix公司的注冊商標。