賓夕法尼亞、MALVERN - 2013 年 1 月14 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的CSP MICRO FOOT封裝。

    在智能手機(jī)、平板電腦和移動計算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中，今天推出的器件將用于電池和負(fù)載切換。MOSFET的小尺寸可節(jié)約PCB空間，實(shí)現(xiàn)超薄的外形，讓便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕，而且器件的低導(dǎo)通電阻能夠?qū)崿F(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗，從而降低能耗，延長兩次充電間的電池壽命。器件的低導(dǎo)通電阻還意味著在負(fù)載開關(guān)上的壓降更低，防止出現(xiàn)討厭的欠壓鎖定現(xiàn)象。

    對于導(dǎo)通電阻比空間更重要的應(yīng)用場合，8V N溝道Si8424CDB和20V P溝道Si8425DB在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻分別為20m和23m。器件采用1.6mm x 1.6mm x 0.6mm CSP封裝。更小的1mm x 1mm x 0.55mm的Si8466EDB 8V N溝道MOSFET在4.5V下的最大導(dǎo)通電阻為43m，將用于空間比導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用場合。Si8466EDB的典型ESD保護(hù)達(dá)到3000V。

    Si8466EDB和Si8424CDB可在1.2V電壓下導(dǎo)通，可與手持設(shè)備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動和更低的總線電壓配合工作，省掉電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。今天推出的所有器件都符合RoHS指令2011/65/EU，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定。

    Si8466EDB、Si8424CDB和Si8425DB是MICRO FOOT家族的最新成員，詳見 http://www.vishay.com/mosfets/micro-foot-package/。
 

    新款TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

    VISHAY簡介

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的"財富1,000 強(qiáng)企業(yè)"，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及"一站式"服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

    TrenchFET和MICRO FOOT是Vishay Siliconix公司的注冊商標(biāo)。
    新聞聯(lián)系人：
    VISHAY
    張艷（Chris Zhang）
    地址：上海市淮海西路 55 號 申通信息廣場 15 樓 D 座
    電話：（8621）52585000-6072
    傳真：（8621）52587979
    Email：chris.zhang@vishay.com

    仁治時代信息咨詢（北京）有限公司
    喬治（George Qiao）
    地址：北京市朝陽區(qū)關(guān)東店南街2號旺座中心東塔715室，郵編：100020
    電話：（8610）52078015/8016
    傳真：（8610）52078017
    Email：George.qiao@geomatrixpr.com