工業(yè)設備在電機驅(qū)動和電源電路中通常使用大電流,隨之而來的突發(fā)過流的風險可能引發(fā)損壞設備,導致生產(chǎn)線停工、甚至有安全隱患;因此,快速檢測和保護至關(guān)重要。與此同時,在不斷追求更高效率和產(chǎn)品小型化的過程中,電路可支持的電流和電壓范圍變窄,即使輕微的過流也會給電路帶來沉重負擔。這也進一步推動了對更快、更精確過流檢測技術(shù)的需求。
新產(chǎn)品的傳輸延遲比現(xiàn)有的TC75W56FU更小,低電平轉(zhuǎn)高電平最大為45ns,高電平轉(zhuǎn)低電平最大為30ns[2]。這使得設備在過流時能夠立即關(guān)斷,從而提高運行安全性。
圖1:過流檢測電路示例
TC75W71FU的I/O電壓支持從最小(GND)到最大(Vcc)的全范圍輸入輸出電壓,簡化了設計。其最低工作電源電壓為1.8V,支持低壓運行。新比較器還具有推挽輸出[3],信號上升和下降時間短,無需外部上拉電阻,并且可以保持穩(wěn)定的電壓電平。
除了TC75W71FU之外,本次還推出增加遲滯性以強化抗噪能力的TC75W72FU,以及具有遲滯性和開漏輸出[5](能夠向與比較器電源不同的電壓域發(fā)送信號)的TC75W73FU[4],并計劃于2026年2月開始量產(chǎn)。
未來,東芝將繼續(xù)開發(fā)有助于提高工業(yè)設備安全性和可靠性的比較器,并擴充產(chǎn)品陣容以滿足客戶的廣泛需求。
Ø 應用:
- 工業(yè)設備(工業(yè)機器人、UPS、光伏發(fā)電機、電源等)
- 消費類設備(家用電器、電源等)
Ø 特性:
- I/O全范圍
- 低電壓驅(qū)動:1.8V
- 高速響應:tPLH 45ns(最大值),tPHL 30ns(最大值)(VDD=3.3V)
Ø 主要規(guī)格:
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器件型號 |
TC75W72FU[6] |
TC75W73FU[6] |
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封裝 (封裝代碼) |
SOT-505 (SM8) |
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工作額定值 |
供電電壓VDD(V) Topr=–40°C至125°C |
1.8至5.5 |
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DC特性 |
供電電流IDD(μA) VDD=1.8V,VOUT=High,VIN=VSS,Ta=25°C |
典型值 |
276 |
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輸入偏置電壓 VIO(mV) VDD=1.8V,VSS<VIN<VDD,Ta=25°C |
最大值 |
17 |
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輸入遲滯電壓 VHYST(mV) VIN=VSS,VDD=1.8V,Ta=25°C |
典型值 |
- |
3.5 |
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低轉(zhuǎn)高,100mV過驅(qū)動 tPLH(ns) VDD=3.3V,Ta=25°C |
典型值 |
23 |
- |
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最大值 |
45 |
- |
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高轉(zhuǎn)低,100mV過驅(qū)動 tPLH(ns) VDD=3.3V,Ta=25°C |
典型值 |
14 |
11 |
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最大值 |
30 |
30 |
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輸出類型 |
推挽 |
開漏 |
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I/O全范圍 |
軌到軌I/O |
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庫存查詢與購買 |
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注:
[1] 工業(yè)機器人、發(fā)電機、不間斷電源(UPS)、變壓器等。
[2] 東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TC75W56FU的傳輸延遲時間:在VDD=3V測量條件下,低電平到高電平的典型值為550ns,高電平到低電平的典型值為250ns。
[3] 推挽輸出:輸出電路包含兩個晶體管(一個位于電路頂部,一個位于電路底部)的配置,分別驅(qū)動高電平和低電平。
[4] 在VDD=3.3V測量條件下,傳輸延遲時間僅為30ns(高電平轉(zhuǎn)低電平)。
[5] 開漏輸出:輸出電路僅包含下方晶體管的配置,主動驅(qū)動低電平。
[6] 產(chǎn)品計劃于2026年2月開始量產(chǎn)。
如需了解有關(guān)新產(chǎn)品的更多信息,請訪問以下網(wǎng)址:
TC75W71FU
如需了解相關(guān)東芝運算放大器和比較器的更多信息,請查看以下PDF文件:
Basics of Operational Amplifiers and Comparators
https://toshiba.semicon-storage.com/info/application_note_en_20210326_AKX00142.pdf?did=67529
如需了解相關(guān)新產(chǎn)品在線分銷商網(wǎng)站的供貨情況,請訪問以下網(wǎng)址:
TC75W71FU
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TC75W71FU.html










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