4.2.1 失效解析的概念
一般而言，通過分析失效現(xiàn)象，查找失效原因和失效機(jī)理，并提出預(yù)防再失效對(duì)策的一系列活動(dòng)被稱為失效分析。本篇為大家介紹的失效解析是指，通過借助電氣設(shè)備和化學(xué)手段對(duì)客戶市場(chǎng)返還回來的不良功率半導(dǎo)體器件（例如DIPIPM™）的失效原因進(jìn)行無損分析和有損分析的過程。
4.2.2 失效解析的目的
三菱電機(jī)為客戶提供市場(chǎng)返還不良功率半導(dǎo)體器件的失效解析業(yè)務(wù)，從分析器件的失效現(xiàn)象和失效內(nèi)容入手，進(jìn)一步推導(dǎo)出失效模式與失效機(jī)理，從而確定造成失效的根本原因，并以此為客戶提出改善器件使用方法的建議，防止相同失效模式在客戶端的重復(fù)發(fā)生，致力于提高客戶的使用舒適度，降低三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品失效率。
4.2.3 失效解析的流程
一般而言，失效解析流程分為：明確分析對(duì)象、確認(rèn)失效模式、研究失效機(jī)理、判斷失效原因，提出改善預(yù)防措施這五大部分。
三菱電機(jī)為客戶提供的市場(chǎng)返還不良功率半導(dǎo)體器件的失效解析服務(wù)，在延續(xù)上述內(nèi)容的基礎(chǔ)上，又進(jìn)一步細(xì)分為下述八個(gè)部分。整體解析按照先實(shí)施無損分析（外觀及電氣特性相關(guān)參數(shù)確認(rèn)），后實(shí)施有損分析（化學(xué)品解析）的原則進(jìn)行。
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1：信息確認(rèn)
接收到客戶返還的失效功率半導(dǎo)體器件樣品后，首先進(jìn)行信息與實(shí)物的核對(duì)登記。
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2：外觀檢查
信息確認(rèn)無誤后，通過肉眼和光學(xué)顯微鏡確認(rèn)客戶返還樣品與正常器件之間的差異，需要確認(rèn)的內(nèi)容包括：樣品表面是否有沾污、破損、隱裂等問題；管腳是否存在缺失、變形等問題；背面銅箔上有無沾污、氧化變色、硫化變色等問題。同時(shí)，需要拍照保留樣品進(jìn)行失效解析前的原始狀態(tài)。
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3：X射線檢查
通過實(shí)施X射線檢查對(duì)樣品實(shí)施非破壞性確認(rèn)。X射線可以在不損壞器件表面塑封體的情況下，拍攝出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。通過X射線呈像可以確認(rèn)器件內(nèi)部金屬框架和金屬鍵合線的形狀，從而判斷有無框架變形或者金屬鍵合線變形等問題。
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4：靜態(tài)電氣特性確認(rèn)
利用圖示儀可以對(duì)樣品進(jìn)行簡(jiǎn)單的電氣特性確認(rèn)，通過手動(dòng)測(cè)試樣品的靜態(tài)特性及整體絕緣屬性是否良好，可以初步確認(rèn)樣品的失效區(qū)域。
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5：直流多點(diǎn)測(cè)試確認(rèn)
完成手動(dòng)測(cè)試后，需要利用專用設(shè)備來進(jìn)一步驗(yàn)證樣品的直流特性。直流多點(diǎn)測(cè)試的判定規(guī)格也需參照量產(chǎn)產(chǎn)品的判定規(guī)格來設(shè)定，因此在更全面的確認(rèn)樣品電氣特性的同時(shí)，也可以驗(yàn)證之前手動(dòng)測(cè)試的結(jié)果是否準(zhǔn)確。
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6：樣品開封
在完成上述所有步驟后，對(duì)確認(rèn)已經(jīng)失效的樣品進(jìn)行開封解析。根據(jù)樣品型號(hào)、失效位置等的不同，樣品的開封解析方法也可分為全部開封和局部開封兩種。
① 全部開封
全部開封是指，在對(duì)樣品進(jìn)行簡(jiǎn)單的預(yù)處理之后，采用浸泡強(qiáng)酸混合溶液的方式，腐蝕掉樣品外部的樹脂以暴露出樣品整體框架和打線結(jié)構(gòu)。全開封后的產(chǎn)品方便觀察整體芯片樣貌和打線形態(tài)，但其無法繼續(xù)用于進(jìn)一步的電性能測(cè)試。
② 局部開封
局部開封是指，通過電氣特性測(cè)試結(jié)果確認(rèn)樣品失效位置，僅對(duì)失效區(qū)域進(jìn)行小范圍開封的方法。同時(shí)，因?yàn)楹辖鹁�易溶于強(qiáng)酸，所以局部開封的方法也廣泛應(yīng)用于合金線產(chǎn)品的開封。在完成開封位置的定位后，通過鐳射機(jī)去除對(duì)象位置上的多余塑封體，再采用特殊調(diào)配的化學(xué)品對(duì)鐳射完成區(qū)域進(jìn)行開封。局部開封后的樣品仍可保存其原本的形態(tài)，在沒有損傷鍵合線的情況下可以用于進(jìn)一步的電性能測(cè)試。
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7：失效位置確認(rèn)
開封完成后，需進(jìn)一步確認(rèn)樣品的失效位置及失效現(xiàn)象，根據(jù)樣品上各失效點(diǎn)的大小形狀的不同，需要通過不同的方法進(jìn)行確認(rèn)。
① 對(duì)于芯片表面存在大面積損壞時(shí)，一般采用光學(xué)顯微鏡進(jìn)行觀察；
② 對(duì)于芯片表面存在微小損壞和確認(rèn)鍵合線狀態(tài)時(shí)，一般采用更高倍率的高倍顯微鏡或掃描電子顯微鏡進(jìn)行觀察；
③ 對(duì)于顯微鏡下無法識(shí)別的細(xì)微損壞，會(huì)選用液晶熱點(diǎn)檢測(cè)或熱成像分析的方式找出損壞點(diǎn)，并提供壞點(diǎn)顯影的照片在報(bào)告中。其中，液晶熱點(diǎn)檢測(cè)是指利用液晶在溫度高于某個(gè)臨界溫度時(shí)，會(huì)變成各向同性的獨(dú)特特質(zhì)，通過對(duì)芯片施加電壓，確認(rèn)芯片能耗分布，找出產(chǎn)品的漏電通道；熱成像分析是指用紅外熱成像儀掃描整個(gè)芯片后，利用芯片正常發(fā)熱的熱量小于芯片上失效點(diǎn)發(fā)熱的熱量的原理，找出芯片上的失效點(diǎn)。
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8：報(bào)告制作
在完成上述一系列的無損分析和有損分析之后，基本可以通過樣品的失效現(xiàn)象推測(cè)可能的失效模式，對(duì)于常見失效模式可依據(jù)以往經(jīng)驗(yàn)推測(cè)出其主要失效原因，并提出相應(yīng)的改善建議。
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