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    技術領航,品質筑基——賽晶半導體引領功率半導體新征程

    已有46次閱讀2025-10-27標簽:
      
      在全球能源轉型與智能化浪潮的推動下,功率半導體作為電力電子系統的核心器件,正迎來前所未有的發展機遇。從新能源汽車的電機驅動到光伏電站的逆變系統,從5G基站的電源管理到工業機器人的精密控制,功率半導體的性能直接決定了能源轉換效率與系統可靠性。
     
      作為中國功率半導體領域的領軍企業,賽晶亞太半導體(以下簡稱“賽晶”)攜全系列功率半導體解決方案重磅登場PCIM Asia 2025展會。本次展會,賽晶帶來的展品覆蓋IGBT、碳化硅(SiC)芯片及模塊全品類,從適配新能源汽車的HEEV封裝SiC模塊,到滿足工業控制需求的ED封裝IGBT模塊,均為針對當前行業 “高效、可靠、小型化” 需求研發的核心產品。
     
      展會期間,《變頻器世界》有幸采訪了賽晶半導體科技(浙江)有限公司總經理張強,分享了賽晶在產品和技術領域的最新進展和未來的規劃。
     
     

    賽晶半導體科技(浙江)有限公司總經理張強
     
      新品迭出,拓展功率半導體版圖
     
      今年以來,賽晶陸續完成多款自研半導體新產品研發,并且進一步豐富了產品種類,擴展了下游市場需求的覆蓋范圍。本次展會,賽晶帶來了采用微溝槽設計的第七代i23系列IGBT芯片,及采用該芯片的ED封裝IGBT模塊,和FP封裝、EP封裝、TF封裝等多款IGBT模塊新產品。還有達到國際領先水平(1200V/13mΩ)的自研SiC芯片,以及配套推出HEEV、EVD封裝模塊。據了解,兩類產品均完成從芯片設計到模塊封裝的垂直整合,產品矩陣覆蓋工業標準與定制化需求,印證技術自主性提升與產業化能力進階。
     
     
      賽晶的IGBT芯片和模塊產品已經累積了良好的競爭壁壘,在功率密度、綜合損耗,以及可靠性、魯棒性等諸多關鍵性能上,實現超越國內外同類產品的卓越表現,被譽為國產精品IGBT的代表。
     
      “賽晶今年在IGBT領域突破不斷,新推出的模塊通過芯片技術迭代,將相同體積的模塊電流從600A提升至900A,明年還將推出1000A的模塊,單體功率提高30%。”張強以新推出的i23 1700V 900A系列IGBT模塊為例介紹道,該模塊采用經典ED封裝,i23芯片采用微精細溝槽柵技術,實現超低損耗Eon+Eoff,同時也具有高短路能力,以解決芯片高電流密度面臨的挑戰。支持長期運行結溫175°C(Tvjop),集成NTC溫度傳感器,確保高溫工況下的穩定運行,顯著增加了器件的輸出能力,大幅提高系統的功率密度,為風電、工控和新能源等領域帶來突破性的解決方案。
     
      展會現場,HEEV封裝SiC模塊和EVD封裝SiC模塊產品,同樣受到了與會者的高度關注。HEEV封裝、EVD封裝SiC模塊采用行業領先的設計和封裝工藝,具有非常出色的散熱性能,以及極佳的可靠性、魯棒性,有多個電流等級可供選擇,Rds(on)從4mΩ到2mΩ,可以為120kW到250kW的乘用車電驅提供高性價比的解決方案。
     
      值得注意的是,今年7月被賽晶收購的湖南虹安也攜全系列功率MOSFET、微控制器等產品亮相本次展會,同樣受到與會者的高度關注。張強表示,賽晶收購湖南虹安有助于賽晶半導體系統性整合雙方資源,實現協同效應,如補充技術團隊、在碳化硅(SiC)技術上形成互補,還可共享供應鏈和市場資源,提升供應鏈穩定性,擴大市場范圍和份額等。
     
      技術突圍,構建差異化競爭優勢
     
      在全球能源轉型與"雙碳"目標的驅動下,功率半導體作為新能源、電動汽車、智能電網等領域的核心器件,正經歷著前所未有的需求爆發。然而,這片看似充滿機遇的藍海,卻暗藏著行業結構性矛盾。一方面,下游應用端對高效率、高可靠性的產品需求持續升級;另一方面,部分細分領域卻陷入“價格戰”的惡性循環。
     
      面對市場日益激烈的競爭,賽晶勇做行業一股“清流”,始終堅持“不內卷,做自己”的戰略方針,拒絕單純的價格戰,通過技術差異化實現突圍。
     
      張強進一步解釋道,在技術方面,賽晶提升產品功能密度和電流密度,使相同尺寸芯片輸出能力更強,降低客戶單位千瓦成本。例如,相同硅片產出的芯片數量固定,但通過技術迭代使相同面積輸出能力提升,在風電、儲能、電動汽車等領域,技術優勢可轉化為成本優勢。
     
      在生產成本方面,賽晶降低自身生產成本,將一些8吋產品轉向12吋。“對于相同型號的芯片而言,采用12吋晶圓進行生產,不僅能夠實現更高的產出效率,其單片晶圓所產出的芯片數量可達8吋晶圓的2.3至2.5倍;且在工藝成本相近的情況下,材料成本的增幅遠未達到兩倍。”張強透露,2023年,賽晶就已在國內甚至全球率先實現大功率二極管在12吋上量產,進一步降低IGBT芯片和二極管芯片的物料成本。同時,產品失效率低,長期積累的良好使用體驗也增強了客戶粘性。
     
      強強聯合,布局碳化硅廣闊未來
     
      根據世界半導體貿易統計組織預測,2025年全球半導體市場規模預計突破6870億美元,其中以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料憑借其高耐壓、高導熱和低損耗特性,成為新能源汽車、光伏儲能、5G通信等高增長領域的核心支撐。在張強看來,當前碳化硅(SiC)在市場中的應用尚未實現大規模普及,但其價格競爭卻已異常激烈。就碳化硅的未來發展而言,若要確保產品質量并有效降低成本,規模化生產效應無疑將成為至關重要的關鍵因素。
     
      張強還提到,在新能源汽車市場,大部分客戶仍然會將品質、性能放在第一位。而新能源汽車市場一直是賽晶高度重視的領域,并經過了長時間的布局。隨著HEEV封裝SiC模塊和EVD封裝SiC模塊的推出,以及自研SiC MOSFET芯片逐步量產,賽晶在新能源汽車領域的產品布局正在不斷地完善。
     
      9月12日,賽晶半導體與湖南三安正式簽署戰略合作協議。張強直言,湖南三安在碳化硅材料、芯片制造方面的能力,與賽晶半導體在模塊封裝與市場應用方面的優勢高度契合。雙方的合作,是賽晶半導體平衡技術領先性和成本可控性的重要舉措。從長遠布局看,湖南三安的全產業鏈優勢有助于降低賽晶碳化硅產品成本,增強技術競爭力。同時,湖南三安技術團隊對賽晶工藝完全開放,提供最大程度支持,使賽晶半導體能夠提升產品性能,拉開與同行技術差異。此外,這一合作也將加速SiC芯片的國產化替代進程。
     
      品質為基,贏得客戶長久信任
     
      在功率器件市場競爭日益激烈的當下,國產功率器件面臨著諸多挑戰,其中客戶信任度問題尤為突出。長期以來,部分客戶受傳統觀念影響,對國產功率器件的性能、可靠性和穩定性存在疑慮,這在一定程度上限制了國產功率器件的市場拓展和應用。
     
      張強坦言,作為國產技術研發與創新領域的先鋒企業,賽晶贏得客戶及市場的信任的原因就是產品失效率低,質量經得起時間的驗證。比如應用在儲能領域的模塊產品,客戶可以做到一直使用,賽晶的品質是經得起考驗的。此外,賽晶始終堅定不移地維持技術的先進性,同時以足夠的耐心深耕市場。
     
      據了解,為保證產品高可靠性,賽晶分別從設計階段和量產階段嚴格把控。在設計階段,賽晶有明確目標和思路,進行評估仿真驗證,為量產低失效率奠定基礎。在量產階段,賽晶憑借達到國際領先質量水平標準的生產線,保證了產品質量的穩定性和一致性。可以說,賽晶的產品經過嚴格的質量控制和精密的生產工藝,使得最終產品良率高,產品一致性好。
     
      “未來,我們將持續致力于新一代芯片的研發工作,不斷推陳出新;同時,亦將著力拓展現有芯片技術平臺的應用范疇,使其覆蓋更廣泛的電流與電壓區間。在碳化硅技術領域,我們還將積極尋求與產業鏈中具備深厚規模基礎與強大實力的廠商建立更為緊密、深入的合作關系。”張強對賽晶的未來發展充滿信心。
     
      寫在最后
     
      在全球能源轉型與智能化浪潮的激蕩下,功率半導體市場風起云涌,機遇與挑戰并存。賽晶半導體作為中國功率半導體領域的領軍者,憑借持續的新品研發、獨特的技術突圍策略、深度的產業鏈合作以及對產品品質的執著堅守,在這片充滿變數的市場中穩步前行。
     
      從豐富多樣的新品展出,到拒絕“價格戰”堅持技術差異化;從積極與產業鏈伙伴攜手共進,到以高品質產品贏得客戶信任,賽晶的每一步都彰顯著其對行業趨勢的精準把握和對自身發展的堅定信念。我們有理由相信,賽晶必將在功率半導體領域綻放更加耀眼的光芒,為推動全球能源轉型和智能化發展貢獻更多的中國力量。
     
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