英飛凌 CoolMOS™ 8全系封裝產品

英飛凌的 MOSFET 產品聚焦高性能、高可靠性和易用性，可實現出色的能效表現和高功率密度。600V CoolMOS™ 8 超結（SJ）MOSFET 專為實現出色的效率、可靠性并節約成本而設計。能夠在600V CoolMOS™ 7與CoolMOS™ 8之間無縫切換以實現供應靈活性，以及在 LLC 階段的易用性，是長城電源選擇該技術的主要原因之一。

英飛凌科技副總裁、高壓功率開關產品線負責人 Christina Guggenberger 表示：“英飛凌通過硅基功率 MOSFET 技術，為客戶帶來卓越的性能、可靠性與成本效益，為全球市場樹立了創新與卓越的行業標桿。我們的 CoolMOS™ 8技術正是這一承諾的絕佳例證，它為打造滿足數據中心應用嚴苛要求的高性能電源解決方案提供了強大支持。”

長城電源首席技術官金博士表示：“與英飛凌的持續深化合作，讓我們得以借助其行業領先的 CoolMOS™ 8 超結（SJ）MOSFET 技術，提升我們的系統性能并實現更高的成本效益。這一合作體現了我們在行業內追求創新與卓越的堅定決心。我們很高興地看到，我們現在為客戶提供的電源解決方案（PSU）在功率密度和成本節約方面實現了顯著提升。”

英飛凌最新推出的600V CoolMOS™ 8在全球高壓超結 MOSFET 技術領域處于領先地位，為全球范圍內的技術水平及性價比樹立了標桿。該技術提升了整體系統性能，并進一步助力推動在充電器、適配器、光伏及儲能系統、電動汽車充電設備，以及不間斷電源（UPS）等領域的低碳化進程。與 CFD7系列相比，CoolMOS™ 8 超結（SJ）MOSFET 的柵極電荷降低了18%；與 P7系列相比，柵極電荷降低了33%。柵極電荷減少意味著使 MOSFET 從關斷狀態（非導通）切換至導通狀態所需提供的電荷量更少，從而實現更高能效的系統性能。此外，該 MOSFET 擁有市面上更快的關斷時間，且熱性能較上一代產品提升了14%至42%。600V CoolMOS™ 8 超結（SJ）MOSFET 內置快速體二極管，提供 SMD-QDPAK、TOLL 及 ThinTOLL-8x8等封裝形式，適用于廣泛的消費類及工業類應用場景。

除碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術外，英飛凌的功率 MOSFET 在性能、可靠性、品質及性價比方面樹立了行業標桿，不僅能實現一流的應用效果，還助力客戶開發兼具創新性與成本效益的解決方案，以滿足各類嚴苛需求。

供貨情況

600V和650V CoolMOS™ 8 超結（SJ）MOSFET的樣品現已開放訂購。更多信息，敬請訪問：www.infineon.com/coolmos8。