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    第13講:DIPIPM™在實(shí)際應(yīng)用中的評(píng)價(jià)(2)

    已有142次閱讀2025-11-28標(biāo)簽:


    結(jié)溫Tj測(cè)試評(píng)價(jià)

    DIPIPM™結(jié)溫Tj是DIPIPM™整機(jī)評(píng)價(jià)中最基本也是最重要的指標(biāo)。由于大部分DIPIPM™本質(zhì)上是一種基于硅材料的IGBT功率半導(dǎo)體器件,其所能承載的電流受到最高結(jié)溫Tj的限制,通常Tj工作時(shí)不應(yīng)超過150℃,如下表5的規(guī)格所示。如果超過,則會(huì)導(dǎo)致IGBT芯片因過熱發(fā)生不可逆轉(zhuǎn)的損壞,因此需要對(duì)DIPIPM™的結(jié)溫Tj溫升進(jìn)行評(píng)價(jià)測(cè)試。


    表5    SLIMDIP-L為例的DIPIPM™最大額定參數(shù)
          DIPIPM™結(jié)溫Tj測(cè)試需要DIPIPM™廠家專門制作帶熱電偶的樣品來測(cè)試。普通的DIPIPM™產(chǎn)品無法完成結(jié)溫Tj的直接測(cè)試。圖6是以SLIMDIP-L為例的帶熱電偶的樣品,熱電偶被直接安裝在V相N側(cè)的IGBT銅框架附近,該點(diǎn)溫度近似等于模塊結(jié)溫Tj。將該模塊安裝到整機(jī)系統(tǒng)當(dāng)中,就可以采用溫度測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)試了。需要提醒的是,由于熱電偶連接在模塊的V相N側(cè)的IGBT銅框架上,該點(diǎn)的電位與PCB線路板的母線電容N端子是等電位的,其與整機(jī)的機(jī)殼存在電位差,因此熱電偶的引出裸露部分不能與整機(jī)機(jī)殼接觸,否則會(huì)有損壞DIPIPM™模塊的風(fēng)險(xiǎn)。圖7是在實(shí)際空調(diào)系統(tǒng)中,對(duì)DIPIPM™采用帶熱電偶的樣品進(jìn)行測(cè)試的實(shí)際圖片及溫度顯示圖片。需要注意的是在實(shí)際測(cè)試過程中,一定要保證整機(jī)在最大負(fù)荷下(環(huán)境溫度最高、輸出電流最大、輸入電源電壓最低等)進(jìn)行測(cè)試,對(duì)溫度表進(jìn)行讀數(shù)時(shí),溫度顯示穩(wěn)定后,讀取最高的溫度作為DIPIPM™的結(jié)溫Tj。為了保證DIPIPM™的溫度在實(shí)際工作中處于可控范圍,并考慮一定的裕量,通常建議Tj≤125℃。如果測(cè)試結(jié)果Tj過低(如Tj≤100℃),說明DIPIPM™模塊裕量偏大,模塊可以選用更小規(guī)格的散熱器,如果Tj過高(如Tj≥140℃),則說明模塊裕量不足,需要加大DIPIPM™散熱或限制DIPIPM™工作電流。


    圖6    SLIMDIP-L為例的帶熱電偶樣品


    圖7    溫度測(cè)試儀及溫度顯示圖片

    短路測(cè)試評(píng)價(jià)

     

    短路是整機(jī)運(yùn)行過程中較容易發(fā)生的故障,也是造成DIPIPM™市場(chǎng)損壞的主要原因之一。DIPIPM™本身是可以承受一定時(shí)間短路的,這個(gè)可以承受的短路時(shí)間和短路電流可以用短路安全工作區(qū)(SCSOA)來描述。下圖8是以15A/600V SLIMDIP-L為例的短路安全工作區(qū)。短路安全工作區(qū)的橫坐標(biāo)是時(shí)間,即允許DIPIPM™短路的時(shí)間,縱坐標(biāo)是電流,即發(fā)生短路時(shí),DIPIPM™上流過的短路電流,實(shí)際工作中發(fā)生短路時(shí),只要其短路時(shí)間和短路電流在短路安全工作區(qū)矩形框內(nèi),DIPIPM™可以承受,不會(huì)發(fā)生損壞。需要注意的是,DIPIPM™對(duì)短路承受的次數(shù)是有限的,頻繁的短路可能會(huì)造成DIPIPM™損壞。

    圖8    SLIMDIP-L短路安全工作區(qū)

    在裝入整機(jī)后,需要對(duì)整機(jī)的短路進(jìn)行測(cè)試評(píng)價(jià),以保證整機(jī)運(yùn)行過程中即使發(fā)生短路,DIPIPM™短路保護(hù)可以有效地動(dòng)作,保證DIPIPM™承受的電流和短路時(shí)間在其安全工作區(qū)內(nèi)。下圖9是一種常見整機(jī)短路的測(cè)試示意圖。測(cè)試過程中,首先在整機(jī)上電開機(jī)前把PCB板U、V、W采用短路線進(jìn)行短接,再用示波器監(jiān)控輸出電流IO和DIPIPM™輸入PWM信號(hào)和DIPIPM™故障輸出信號(hào)FO,整機(jī)開機(jī)運(yùn)行,示波器設(shè)置FO信號(hào)作為觸發(fā)源捕捉短路保護(hù)過程中的電流、控制信號(hào)及故障輸出信號(hào)FO波形。看電流波形及其持續(xù)時(shí)間是否符合DIPIPM™的短路安全工作區(qū)(SCSOA)要求。如圖10測(cè)試波形所示。


    圖9    SLIMDIP-L短路測(cè)試示意圖

    圖10    SLIMDIP-L短路測(cè)試波形例
           短路測(cè)試評(píng)價(jià)過程中需要注意,短接采用的短路線長短不同,其短路電流波形不同,由于短路線存在寄生電感,寄生電感會(huì)影響短路電流的上升率。在DIPIPM™工廠的短路測(cè)試中,采用的短路線是2m。另外對(duì)短路電流的時(shí)間進(jìn)行測(cè)量時(shí),需要確定測(cè)量的起始點(diǎn)和截止點(diǎn),如果測(cè)量的是相電流IO,則可從電流開始上升時(shí)算起,到電流開始下降截止的時(shí)間作為短路電流動(dòng)作時(shí)間,這個(gè)時(shí)間需要在DIPIPM™的短路安全工作區(qū)內(nèi)。如下圖11所示。這樣測(cè)試的原因是由于相電流的測(cè)試波形中,也包含了IGBT短路保護(hù)動(dòng)作后的續(xù)流電流,這個(gè)續(xù)流電流不需要計(jì)算在短路電流之內(nèi)。

    圖11    短路保護(hù)時(shí)間測(cè)試波形例

    母線浪涌電壓測(cè)試評(píng)價(jià)

    DIPIPM™所能承受的電壓是有一定限度的。例如對(duì)于應(yīng)用于單相220VAC供電的DIPIPM™通常耐壓為600V,對(duì)于三相供電的變頻裝置來說,選擇的是1200V耐壓的DIPIPM™模塊。在整機(jī)測(cè)試評(píng)價(jià)過程中,需要測(cè)試評(píng)價(jià)DIPIPM™在短路和正常運(yùn)行過程中,其浪涌電壓不超過規(guī)格值。下表6是以SLIMDIP-L為例的DIPIPM™耐電壓規(guī)格,其中VCES是SLIMDIP-L內(nèi)部IGBT所能承受的耐壓;考慮到SLIMDIP-L內(nèi)部走線的寄生電感,在模塊P-NU、NV、NW間最大電壓VCC(浪涌)為500V;考慮到PCB走線的寄生電感,母線供電電壓VCC最大為450V;考慮到發(fā)生短路的情況下,SLIMDIP-L能夠安全關(guān)斷,母線供電電壓VCC(保護(hù))最大為400V。圖12是相關(guān)耐壓的定義。

    表6    SLIMDIP-L耐壓規(guī)格

    圖12    SLIMDIP-L耐電壓規(guī)格定義

    在整機(jī)評(píng)價(jià)過程中,一般不對(duì)VCES參數(shù)評(píng)價(jià),這個(gè)參數(shù)主要在單體評(píng)價(jià)中進(jìn)行。由于VCC(浪涌)與整機(jī)PCB設(shè)計(jì)密切相關(guān),因此需要進(jìn)行重點(diǎn)評(píng)價(jià)。其他耐壓參數(shù)的測(cè)試評(píng)價(jià)與VCC(浪涌)評(píng)價(jià)過程基本類似,接下來以VCC(浪涌)測(cè)試評(píng)價(jià)為例對(duì)評(píng)價(jià)方法進(jìn)行介紹。

     

    測(cè)量需要通過示波器進(jìn)行,把示波器電壓探頭的測(cè)試端子與PCB上模塊端子P相連接,把電壓探頭地端子與模塊N端子相連接,采用最小地環(huán)原則以盡可能地降低噪聲干擾。采用捕捉模式來對(duì)母線浪涌電壓進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試接線及波形示意圖見下圖13。通常不同的應(yīng)用當(dāng)中,其浪涌電壓不同,主要取決于母線電容與功率模塊DIPIPM™的P、N端子的連線寄生電感量。對(duì)于諸如母線電容與DIPIPM™在同一PCB控制板的應(yīng)用(例如家電),通常其浪涌電壓不會(huì)超過規(guī)格值。但對(duì)于母線電容與DIPIPM™在不同的PCB控制板,需要通過導(dǎo)線連接的應(yīng)用(如汽車空調(diào)等),其浪涌電壓會(huì)因連線長度增加而增加,這種情況下,可能會(huì)導(dǎo)致浪涌電壓超標(biāo),需要對(duì)浪涌電壓進(jìn)行詳細(xì)評(píng)估。

    圖13    VCC(浪涌)測(cè)試接線及波形示意圖

    噪聲測(cè)試評(píng)價(jià)

     

    噪聲測(cè)試評(píng)價(jià)是DIPIPM™評(píng)價(jià)中的一個(gè)重點(diǎn)評(píng)價(jià)項(xiàng)目,由于DIPIPM™本身工作在高壓大電流的快速開關(guān)狀態(tài),不可避免的在PCB板上產(chǎn)生噪聲,同時(shí)PCB板上還可能存在其他高速開關(guān)的元器件,例如用于PFC電路的IGBT、用于開關(guān)電源的MOSFET等,都有可能產(chǎn)生噪聲。噪聲水平與工作中整機(jī)電流大小成正比,電流越大,噪聲越高,噪聲的大小與元器件的開關(guān)速度成正比,開關(guān)速度越快,噪聲越大。另外噪聲水平和PCB的布線密切相關(guān)。如果噪聲高于DIPIPM™的允許規(guī)格值,可能導(dǎo)致DIPIPM™運(yùn)行故障,因此需要對(duì)DIPIPM™工作中的噪聲進(jìn)行評(píng)價(jià),特別是需要在整機(jī)上帶載情況下對(duì)DIPIPM™噪聲進(jìn)行評(píng)價(jià)。表7是以SLIMDIP-L為例的DIPIPM™相關(guān)噪聲要求。

    表7    SLIMDIP-L允許噪聲規(guī)格
          噪聲測(cè)試評(píng)價(jià)通常采用示波器進(jìn)行測(cè)試。需要評(píng)價(jià)測(cè)試的位置包括DIPIPM™的15V控制電源、3路15V自舉電源、6路PWM信號(hào)等,測(cè)試的噪聲波動(dòng)應(yīng)小于±1V/μs。VNC的噪聲水平為小于±5V。下圖14是一個(gè)實(shí)際地線噪聲測(cè)試的波形,實(shí)際測(cè)試中要盡可能地把測(cè)試引入的噪聲降低到最低水平(如采用下圖14類型的探頭),測(cè)試中示波器設(shè)置為捕捉模式,采用噪聲電平作為觸發(fā)源進(jìn)行波形捕捉,時(shí)間軸盡可能的小,以反映噪聲的真實(shí)形狀。

    圖14    地線噪聲測(cè)試?yán)?br />
           對(duì)于單個(gè)PCB上只有1個(gè)DIPIPM™的應(yīng)用來說,噪聲測(cè)試相對(duì)簡(jiǎn)單,對(duì)于復(fù)雜系統(tǒng)(如單個(gè)PCB上有2個(gè)以上的DIPIPM™),其噪聲測(cè)試會(huì)相對(duì)復(fù)雜,要求評(píng)價(jià)的位置也更多,下圖15給出了一個(gè)推薦的DIPIPM™噪聲測(cè)試點(diǎn)的示意圖。實(shí)際測(cè)試中可以根據(jù)PCB上DIPIPM™的數(shù)量及應(yīng)用類型對(duì)噪聲測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行選擇,下表8給出了根據(jù)不同的應(yīng)用推薦的噪聲測(cè)試點(diǎn)。

    圖15    DIPIPM™噪聲測(cè)試位置示意圖



    表8    DIPIPM™噪聲測(cè)試點(diǎn)推薦
    EMC(電磁兼容)測(cè)試評(píng)價(jià)

    EMC測(cè)試主要是用來測(cè)試在整機(jī)工作狀態(tài)下,PCB板耐受電磁干擾的能力及對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生干擾的水平。整機(jī)EMC性能與PCB設(shè)計(jì)、元器件性能、整體電氣布局都息息相關(guān)。不同的設(shè)備對(duì)于EMC的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)不同,應(yīng)用當(dāng)中通常不對(duì)DIPIPM™的EMC進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試,而是按照整機(jī)的EMC標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行整機(jī)評(píng)價(jià)。對(duì)于DIPIPM™來說,其耐受電磁干擾的能力是通過下圖16的測(cè)試電路來進(jìn)行的。以SLIMDIP-L為例,其具備±2.0kV以上的抗噪聲能力。


    圖16    DIPIPM™耐噪聲能力評(píng)價(jià)電路

    本講總結(jié)

    盡管本講講座對(duì)DIPIPM™的評(píng)價(jià)按照生產(chǎn)流程劃分為單體評(píng)價(jià)、DIPIPM™在PCB上的評(píng)價(jià)、整機(jī)評(píng)價(jià),實(shí)際應(yīng)用中,這些評(píng)價(jià)可以同時(shí)進(jìn)行,例如對(duì)于噪聲的評(píng)價(jià)既可以在PCB控制板上進(jìn)行,也可以在整機(jī)進(jìn)行。關(guān)于評(píng)價(jià)的項(xiàng)目,根據(jù)應(yīng)用的不同,所需要評(píng)價(jià)的項(xiàng)目也不同,這一點(diǎn)需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的不同進(jìn)行靈活增減。例如,在汽車應(yīng)用中,需要進(jìn)行嚴(yán)格的振動(dòng)試驗(yàn)及環(huán)境試驗(yàn),而家電應(yīng)用中,其振動(dòng)試驗(yàn)及環(huán)境試驗(yàn)的要求會(huì)降低。在整機(jī)評(píng)價(jià)中,需要重點(diǎn)關(guān)注的是測(cè)試工況,由于不同應(yīng)用其負(fù)載及環(huán)境的情況截然不同,例如評(píng)價(jià)噪聲和溫升時(shí),需要在最大電流下進(jìn)行測(cè)試,而如何找到輸出電流最大的工況需要工程師對(duì)整機(jī)系統(tǒng)的工作狀態(tài)有清晰的了解。

    主要術(shù)語說明

    1:DIPIPM™、SLIMDIP™及DIPIPM+™均為三菱電機(jī)株式會(huì)社注冊(cè)商標(biāo)。

    2:DIPIPM→雙列直插式智能功率模塊(Dual-in-line Intelligent Power Module)。

    3:PCB→印刷線路板(Printed Circuit Board)。

    4:PWM→脈沖寬度調(diào)制(Pulse Width Modulation)。

    5:DSP→數(shù)字信號(hào)處理器(Digital Signal Process)。

    6:IGBT→絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)。

    7:EMC→電磁兼容( Electro Magnetic Compatibility)。

    主要參考文獻(xiàn)

     

     

    [1] Mitsubishi electric, “SLIMDIP Series Application note”

    [2] Mitsubishi electric, “Super mini DIPIPM Ver.6 Series Application note”

    [3] Mitsubishi electric, “Mini DIPIPM with BSD Series Application note”

    [4] Mitsubishi electric, “1200V Large DIPIPM Ver.6 Series Application note”

     
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