從1997年開始三菱電機開始進行硅基車載功率模塊的開發和量產。最新開發的J3系列SiC模塊搭載了三菱電機最新的溝槽柵SiC MOSFET芯片，采用壓注模封裝工藝和直接端子綁定（DLB）技術，包括T-PM，HEXA-S和HEXA-L三個封裝，為電動汽車的主驅逆變器提供高效化、小型化和輕量化的解決方案，可以滿足不同客戶的需求。
J3系列碳化硅模塊采用三菱電機最新一代溝槽柵SiC MOSFET芯片，如圖1所示，該芯片采用了溝槽底部p阱結構，側壁p型柱結構和JFET摻雜技術，在確保柵極可靠性的同時實現了低通態電阻，低開關損耗和高柵極閾值電壓。與平面柵相比，通態電阻降低了50%以上。由于柵極閾值電壓高，即使有噪音，也很難發生誤導通，高溫下也可以實現安全穩定運行。
J3系列SiC模塊采用壓注模封裝工藝（硬樹脂），如圖2內部結構所示，既增加了抗震性，又提高了生產效率。功率芯片和絕緣基板的連接采用了銀燒結技術，更可靠，熱阻更低。主端子采用直接端子綁定（DLB）技術，使芯片表面溫度分布更均勻，提高了功率循環壽命。
J3 T-PM如圖3所示，支持焊接安裝在散熱器（針翅底板）上，不需要額外固定配件。
J3 T-PM支持并聯使用，可組成多樣化產品陣容：HEXA-S和HEXA-L。圖4為HEXA-S，尺寸（包括針翅底板）為111mm×87mm。圖5為HEXA-L，尺寸（包括針翅底板）為193mm×87mm，有助于客戶縮小逆變器體積。
由于SiC芯片面積小，與Si芯片對比，更易發生短路破壞。在短路時，需要比Si產品更快速地切斷電流。J3系列產品配備了短路檢測管腳（SCM），通過檢測主回路的di/dt，來控制柵極電壓（圖6）。使用SCM功能可以抑制短路電流，減小短路能量，如圖7所示。該技術使得用戶能夠更容易進行短路保護。此外，J3系列T-PM內部集成了DESAT二極管，用戶不需要在驅動板上額外安裝DESAT二極管，可以幫助客戶節約布線空間，縮小驅動板尺寸。
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