三菱電機最新開發了全SiC、混合SiC的SLIMDIP產品，與超小型全SiC DIPIPM相比，全SiC、混合SiC的SLIMDIP體積更小，其電源也不再需要18V電源，可以在現有Si SLIMDIP封裝的PCB方案上直接替換，兩個型號產品的規格見下表1。
圖1為全SiC SLIMDIP的內部電路，內置了新開發的SiC MOSFET芯片，其輸出功率較現有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊顯著提高，全SiC SLIMDIP模塊將功率損耗降低了79%(1)，顯著提升家電能效。當應用于空調壓縮機逆變器電路時，更可實現年功率損耗降低80%(2)。
圖2為混合SiC SLIMDIP的內部電路，將SiC MOSFET和RC-IGBT集成到模塊中。采用同一IC來驅動并聯的SiC MOSFET和Si RC-IGBT，但是兩者的驅動時序有所差異。與目前的硅基模塊相比，混合SiC SLIMDIP能夠將功耗降低47%(1)。當應用于空調壓縮機逆變器電路時，更可實現年功率損耗降低41%(2)。
在上一篇《SiC DIPIPM在變頻家電中的應用（1）》，我們介紹了超小型全SiC DIPIPM，其與全SiC SLIMDIP的對比見表2。
兩者的損耗對比（單個芯片）如下圖3所示，全SiC SLIMDIP的損耗相對更低一點。對比工況為：Vcc=310VDC，Io=7.5Apeak，fc=20kHz，SPWM調制，M=1，fo=50Hz，Vd=15V（PSF15SG1G6），Vd=18V（PSF15S92F6-A6）。
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