圖1為單個導通脈沖（電感負載）的電壓電流波形及產生的損耗示意圖。電流和電壓的積分值就是產生的損耗，分為通態損耗和開關損耗。圖1中，E_(sat)為通態損耗，E_on和E_off為開關損耗。

                                                            圖1：單個導通脈沖（電感負載）損耗示意圖

如第17講《SiC MOSFET的靜態特性》所描述，反向導通（源漏方向）時，導通方式會根據柵極電壓變化。如果柵極施加負壓時，電流流過體二極管，如下圖2。但是當柵極施加正壓（超過閾值電壓）時，電流流過MOSFET，如下圖3。

                                                                          圖2：柵極負偏

                                                                        圖3：柵極正偏

如果MOSFET反向導通時柵極施加負壓，電流流過體二極管（此處不考慮內部帶SiC SBD的SiC模塊），其損耗計算方式與IGBT一樣，不再贅述，本章節重點介紹同步整流模式（MOSFET反向導通時柵極施加正壓）下的損耗計算。

以工作在CCM模式的Buck電路（圖4）為例來介紹SiC MOSFET損耗計算方法。Vin/Iin為輸入電壓電流，Vo/Io為輸出電壓電流。T1為控制管；T2為續流管，工作在同步整流模式。

                                                                             圖4：Buck電路

3.1 T1損耗計算

       T1作為控制管，其占空比如下式：

T1導通損耗可由下式計算，其中R_DS(on)為T1管的通態電阻。

T1開關損耗可由下式計算，其中V_DD為SiC MOSFET datasheet中開關損耗測試電壓，E_on(@I_o)、E_off(@I_o)為datasheet中電流值I_o對應的開關損耗，以上參數均可在datasheet中查找（除部分產品外，如有需要，可聯系我司）。f_sw為開關頻率。

3.2 T2損耗計算

T2作為續流管，其占空比為1-D。

T2導通損耗可由下式計算：

T2零電壓開關，所以沒有開關損耗。但是在T1開通瞬間，T2體二極管會產生反向恢復損耗，可由下式計算。其中E_rr(@I_o)為datasheet中電流值I_o對應的開關損耗，也可在datasheet中查找（除部分產品外，如有需要，可聯系我司）。

以SPWM調制的三相橋式電路（圖5）為例來介紹SiC MOSFET損耗計算方法。V_CC為直流電壓，I_o為輸出電流有效值。MOSFET工作在同步整流模式。

                                                                       圖5：三相橋式電路
輸出電流為：

導通損耗可由下式計算：

開關損耗可由下式計算，同樣的，V_DD為SiC MOSFET datasheet中開關損耗測試電壓，E_on(@I_P)、E_off(@I_P)為datasheet中電流值I_P對應的開關損耗，可在datasheet中查找（除部分產品外，如有需要，可聯系我司）。f_sw為開關頻率。

SiC MOSFET體二極管在對管開通時會產生反向恢復損耗，可由下式計算。其中E_rr(@I_P)為datasheet中電流值I_P對應的開關損耗，也可在datasheet中查找（除部分產品外，如有需要，可聯系我司）。