SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產品已廣泛產品化。SiC SBD的某些產品具有3300V的耐壓。半導體器件的擊穿電壓與半導體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而SiC的擊穿電場強度是Si的10倍。因此，采用SiC半導體，理論上是有可能制造出與Si器件厚度相同、同時其耐壓10倍于Si器件的SiC SBD。例如，耐壓為3300V的SiC SBD漂移層厚度約為30μm，這使其比Si更薄。
SBD是一種單極型器件，因此器件內部不會積聚少數載流子。關斷過程中流過的電流是其n漂移區形成耗盡層期間掃出的電荷，以維持反向阻斷電壓，這種現象類似于快恢復二極管的反向恢復電流。
如圖1為SiC SBD不同溫度下正向壓降對比，其微分電阻具有正溫度特性，可在并聯使用時抑制芯片之間的電流不平衡。這一特性有利于防止SBD熱失控。圖2為SiC SBD不同溫度下正向特性變化。
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