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【2025年9月10日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出一款適用于AI數據中心與服務器的12 kW高性能電源（PSU）參考設計。該參考設計兼具高效率和高功率密度的優勢，并采用了包含硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）在內相關半導體材料，為工程師們提供了理想的解決方案，助力加速開發進程。

英飛凌12kW PSU參考設計

英飛凌高級副總裁兼電源開關部門總經理Richard Kunčič表示：“ 在AI對能源需求持續增長的當下，英飛凌的貢獻在于提供具有極高轉換效率的電源解決方案，助力節約每一度電。此次推出的 12 kW高密度PSU參考設計采用了先進的電源轉換拓撲，同時結合 CoolMOS™、CoolSiC™和 CoolGaN™技術，使其在能效、可靠性和功率密度方面實現全面突破。我們很自豪能走在賦能AI的前沿。”

為了實現高性能水平，該設計在 AC/DC和 DC/DC級中均采用了先進的功率轉換拓撲。前端AC/DC轉換器采用三電平飛跨電容交錯式功率因數校正（PFC）拓撲，峰值效率可達 99.0% 以上，同時減少磁性元件的體積。這一成果得益于英飛凌的 CoolSiC™技術，同時提供出色的開關性能與優越的熱性能。 DC/DC級則采用全橋 LLC 拓撲，通過使用兩個平面高頻變壓器及英飛凌的 CoolGaN™技術，達到超過 98.5%的峰值效率。這些架構與英飛凌最新的寬禁帶技術相結合，實現了高達 113 瓦 / 立方英寸（W/in³）的功率密度。