三菱電機從1994年開始研發SiC-MOSFET，經過試制驗證，目前正處于普及擴大的階段。SiC-MOSFET能夠使系統整體的效率最大化，具有濾波器等被動元件尺寸減小和冷卻系統小型化等各種優點，逐漸有替換Si-IGBT的趨勢。但是，SiC-MOSFET與Si-IGBT相比，由于開關速度快造成浪涌電壓高，超過器件額定電壓的可能性提升。為了使浪涌電壓在器件的額定電壓內，其中一種解決方案是增加柵極電阻并減慢開關速度，但這種解決方法沒有利用SiC-MOSFET低損耗工作的優點。目前工業用Si-IGBT模塊中廣泛采用NX封裝，在考慮從Si-IGBT易替代性的同時，還可以利用SiC-MOSFET的特點，開發出能夠為系統高效率化做出貢獻的產品。圖1表示外觀圖，圖2表示內部結構圖。
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