1.1 產品陣容

三菱電機已推出三款SiC模塊產品，半橋T-PM模塊：CTF350DJ3A130，三相全橋模塊HEXA-S：CTF350CJ3C130，三相全橋模塊HEXA-L：CTF700CJ3D130。后續還會繼續推出其它規格的產品，擴充產品陣容，如表1中的灰色帶*部分，滿足客戶的不同需求。客戶可以直接購買T-PM，以T-PM為基礎，定制開發自己的功率模塊。

1.2 輸出電流能力

J3系列SiC模塊以半橋T-PM模塊為核心，通過不同組合構成全橋模塊HEXA-S和HEXA-L，可以實現從50kW到300kW電驅功率的全覆蓋，滿足客戶端的平臺化設計。HEXA-S可以應用在50kW到150kW的主驅逆變器或者增程器，HEXA-L可以覆蓋150kW到300kW的主驅逆變器。典型輸出電流示例可以參考圖1，在800V母線電壓，10kHz開關頻率，65℃水溫，10L/min的流速條件下可以輸出最大540Arms的電流。并且三菱電機SiC模塊的漏源間耐壓（V_DS）在全溫度范圍內（-40℃到175℃）1300V，可以覆蓋更寬的電池電壓。

三菱電機還為用戶提供HEXA-L和HEXA-S的評估套件，包括母線電容、水冷套件和對應的驅動板，可以用作雙脈沖測試和臺架帶載測試，方便客戶對J3系列SiC模塊的快速評價。如有興趣，可以聯系我們。

除了SiC功率模塊，三菱電機還提供用于電動汽車（EV）、插電式混合動力汽車（PHEV）和其他電動汽車（xEV）電驅逆變器的SiC MOSFET裸片，晶圓和裸片的示意圖如下圖2所示。

三菱電機用于xEV的SiC MOSFET裸片，采用溝槽柵結構，得益于特有的制造工藝，在溝槽柵結構中生長出高品質的柵極氧化膜，可以抑制長期使用過程中的閾值電壓（V_GS,th）漂移和性能劣化。

目前，三菱電機可以提供以下SiC-MOSFET裸片樣品（表2），供客戶測試評估。

未來，三菱電機將繼續致力于開發和提供高品質、低損耗的SiC-MOSFET裸片，助力提升逆變器性能、延長續航里程和提高xEV的能源效率，為實現脫碳目標做貢獻。