采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2
這款CoolSiC 1200 V G2所采用的技術相較于上一代產品有顯著的提升，可在導通電阻（Rds(on)）相同的情況下，開關損耗降低達25%，系統效率提升0.1%。基于英飛凌先進的.XT擴散焊技術，，G2系列產品的熱阻相較于G1系列降低15%以上，MOSFET溫度也降低了11%。憑借4 mΩ至78 mΩ的出色導通電阻和豐富的產品組合，設計人員能夠靈活使用，提高系統性能，滿足目標應用需求。此外，新技術支持在高達200°C結溫（Tvj）下的過載運行，并具備出色的抗寄生導通能力，確保在動態且嚴苛的工況下實現可靠運行。
英飛凌CoolSiC MOSFET 1200 V G2提供單開關和雙半橋兩種Q-DPAK封裝。兩種型號均屬于英飛凌更廣泛的X-DPAK頂部散熱平臺。所有頂部散熱（TSC）版本（包括 Q-DPAK 和 TOLT）的封裝厚度統一為2.3 mm，具備高度的設計靈活性，使客戶能夠在單一散熱器組件下靈活擴展和組合不同產品。這種設計靈活性簡化了先進功率系統的開發，便于客戶根據需求定制和擴展其解決方案。
Q-DPAK封裝通過實現器件頂部與散熱器之間的直接熱傳導，顯著提升散熱性能。與傳統底部散熱封裝相比，這種直接熱傳導路徑能夠顯著提高熱傳導效率，使系統設計更加緊湊。此外，Q-DPAK封裝的布局設計大幅減少了寄生電感，對提高開關速度至關重要，有助于提升系統效率，并降低電壓過沖風險。 。該封裝由于占用空間小，適用于緊湊的系統設計，其與自動化裝配流程的兼容性簡化了制造過程，確保了成本效益和可擴展性。
供貨情況
采用Q-DPAK單開關和雙半橋封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2現已上市。更多信息，敬請訪問：https://www.infineon.cn/products/power/mosfet/silicon-carbide/discretes。
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