6月10日，#羅姆 宣布推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。
圖片來源：羅姆
用戶可從第4代SiC MOSFET相應產品頁面的“設計模型”中下載
羅姆介紹，功率半導體的損耗對系統整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復現性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。
新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型公式，能夠在保持計算穩定性和開關波形精度的同時，將仿真時間較以往L1模型縮短約50%。由此，能夠高精度且快速地執行電路整體的瞬態分析，從而有助于提升應用設計階段的器件評估與損耗確認的效率。
未來，羅姆將繼續通過提升仿真技術，助力實現更高性能以及更高效率的應用設計，為電力轉換技術的革新貢獻力量。
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