株洲中車正加快8英寸碳化硅產線建設，其中三期8英寸SiC晶圓項目已于2024年11月啟動，計劃2025年5月完成主體廠房封頂，年底前實現整線貫通。公司現有的6英寸SiC芯片生產線年產2.5萬片，已具備成熟產能。

圖片來源：株洲中車

在MOSFET技術上，株洲中車已完成第三代精細平面柵SiC MOSFET的定型開發，技術水平已達到行業主流。第四代溝槽柵產品已完成設計定型，并達到行業先進水平，性能指標基本對標國際龍頭企業。此外，公司已前瞻性布局第五代技術研發，并透露在超精細溝槽柵7.5代技術方面已達到國際領先水平，展現出強大的持續創新能力。

公司重點產品涵蓋650V至6500V電壓等級的SiC MOSFET，以及1200V SBD（肖特基二極管）。其中，1200V SBD已在光伏領域實現批量出貨。

在封裝層面，SiC TO封裝器件已在充電樁、車載充電機（OBC）、電源管理等領域實現規模供貨。面向新能源汽車主驅控制器，公司于2022年底正式發布了其C-Power 220s平臺，這是國內首款基于自主碳化硅研制的大功率電驅產品，系統效率最高可達94%，目前已進入整車廠驗證階段，預計2025年有望實現主驅批量出貨。

株洲中車正在構建從襯底、芯片到應用平臺的完整SiC產業生態，加速向高壓、高能效電力電子市場滲透。隨著產線升級、技術迭代和產品矩陣的完善，株洲中車有望在碳化硅領域實現更大突破，推動相關產業的升級與發展。