01、核心邏輯與驅(qū)動(dòng)因素

在過(guò)去一個(gè)月里，半導(dǎo)體板塊在資本市場(chǎng)中風(fēng)光無(wú)兩，機(jī)構(gòu)調(diào)研熱情高漲，調(diào)研次數(shù)突破3000次大關(guān)，韋爾股份、安集科技、炬光科技等行業(yè)龍頭更是備受青睞，吸引了超百家機(jī)構(gòu)組團(tuán)調(diào)研，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程與技術(shù)迭代創(chuàng)新成為機(jī)構(gòu)關(guān)注的核心焦點(diǎn)，大家紛紛想要探尋這些企業(yè)在行業(yè)變革中的布局與機(jī)遇。

從資金流向來(lái)看，5月以來(lái)半導(dǎo)體相關(guān)ETF吸金能力驚人，累計(jì)吸金近30億元，其中國(guó)聯(lián)安半導(dǎo)體ETF、嘉實(shí)科創(chuàng)芯片ETF以及華夏芯片ETF等產(chǎn)品表現(xiàn)尤為突出，領(lǐng)跑細(xì)分行業(yè)ETF榜單，這一方面反映出市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的未來(lái)發(fā)展充滿信心，另一方面也體現(xiàn)了投資者對(duì)抓住這一波半導(dǎo)體行情的強(qiáng)烈意愿。

02、三大驅(qū)動(dòng)力攜手引爆行業(yè)景氣周期

AI 算力革命

生成式AI的爆發(fā)式發(fā)展，使得GPU（圖形處理器）和HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）市場(chǎng)需求呈現(xiàn)井噴態(tài)勢(shì)。據(jù)預(yù)測(cè)，到2025年AI芯片市場(chǎng)規(guī)模有望突破1500億美元，而HBM產(chǎn)能也將實(shí)現(xiàn)年增超50%的高速擴(kuò)張。同時(shí)，AI終端設(shè)備如AI手機(jī)、AIPC（人工智能個(gè)人電腦）的滲透率正在加速提升，預(yù)計(jì)到2025年AI終端在市場(chǎng)中的占比將超過(guò)30%，這將為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈帶來(lái)持續(xù)的增長(zhǎng)動(dòng)力，從芯片設(shè)計(jì)到制造、封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)都將受益。

消費(fèi)電子復(fù)蘇

全球智能手機(jī)市場(chǎng)出現(xiàn)回暖跡象，出貨量同比增長(zhǎng)6%，庫(kù)存周期迎來(lái)拐點(diǎn)，這意味著市場(chǎng)需求正在逐步恢復(fù)，這對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)積極的信號(hào)。此外，晶圓廠產(chǎn)能利用率也超過(guò)90%，表明產(chǎn)業(yè)鏈上游生產(chǎn)環(huán)節(jié)運(yùn)轉(zhuǎn)順暢，能夠?yàn)橄掠蜗�費(fèi)電子產(chǎn)品的生產(chǎn)提供有力支撐，進(jìn)而推動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)大。

國(guó)產(chǎn)替代提速

國(guó)家大基金三期注資超1600億元，為半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代按下 “加速鍵”。在光刻膠、EDA工具等過(guò)去被國(guó)外 “卡脖子” 的關(guān)鍵領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)企業(yè)正加大研發(fā)攻關(guān)力度并取得一系列突破。例如，北方華創(chuàng)的刻蝕機(jī)成功打入國(guó)際供應(yīng)鏈，展現(xiàn)了中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)在高端市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力；安集科技的CMP研磨液國(guó)產(chǎn)化率也超過(guò)30%，逐步實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口產(chǎn)品的替代，這些成果不僅提升了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控能力，也為相關(guān)企業(yè)贏得了更廣闊的市場(chǎng)空間。

技術(shù)突破：從封裝到材料的全面逆襲

1、先進(jìn)封裝 ：臺(tái)積電在先進(jìn)封裝技術(shù)上持續(xù)發(fā)力，其CoWoS產(chǎn)能實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)。2.5D/3D封裝技術(shù)不斷成熟并得到更廣泛應(yīng)用，為AI芯片性能的提升提供了強(qiáng)大助力，使得AI芯片能夠更好地滿足高性能計(jì)算需求，進(jìn)一步拓展了其在數(shù)據(jù)中心、智能駕駛等領(lǐng)域的應(yīng)用場(chǎng)景。

2、第三代半導(dǎo)體 ：碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料憑借其優(yōu)異的物理和電氣性能，在新能源汽車(chē)、光伏等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)中實(shí)現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。東微半導(dǎo)體、基本半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)企業(yè)在第三代半導(dǎo)體賽道上積極布局并嶄露頭角，推動(dòng)了相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展，提高了我國(guó)在該領(lǐng)域的全球競(jìng)爭(zhēng)力，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)辟了新的增長(zhǎng)極。