具備全球領先的順序讀取性能與低功耗特性，專為端側AI進行優化

產品厚度減薄15%，適用于超薄旗艦智能手機

“憑借全球最高321層的產品組合，公司將在NAND閃存領域進一步鞏固‘全方位面向AI的存儲器供應商’的地位”

2025年5月22日，SK海力士宣布，公司成功開發出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產品UFS 4.1。

SK海力士表示：

為了在移動設備上實現端側（On-device）AI的穩定運行，所搭載的NAND閃存解決方案產品必須兼具高性能與低功耗特性。依托這款對AI工作負載*優化的UFS 4.1產品，公司將進一步鞏固其在旗艦智能手機市場中的存儲器技術領導地位。

隨著端側AI的需求持續增長，終端設備的計算性能與電池效率之間的平衡日趨關鍵，超薄設計和低功耗特性已成為移動設備的行業標準。

順應這一趨勢，公司此次開發的新品較上一代基于238層NAND閃存的產品能效提升了7%。同時，成功產品厚度從1mm減薄至0.85mm，使其能夠適配超薄智能手機。

此外，該產品支持第四代UFS產品的順序讀取*峰值，數據傳輸速率高達4300MB/s。決定移動設備多任務處理能力的隨機讀取和寫入*速度，相較上一代產品分別提升了15%與40%，達到現存UFS 4.1產品中全球領先水平。

通過該方式，能夠實時提供對端側AI所需的數據，顯著提升應用程序的運行效率與響應速度，從而有效增強用戶的實際性能體驗。

該產品提供512GB（千兆字節）和1TB（太字節）兩種容量規格。公司計劃于今年內向客戶交付樣品以進行驗證流程，并將于明年第一季度正式進入量產階段。

SK海力士開發總管（CDO, Chief Development Officer）安炫社長表示：

以此次產品的開發為契機，公司計劃于今年內完成基于全球最高321層4D NAND閃存的消費級和數據中心級固態硬盤（SSD）產品的開發工作。通過這一舉措，公司將在NAND閃存領域構建具備AI技術競爭力的產品組合，從而進一步鞏固公司作為“全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）”的地位。

*工作負載（Workload）：指在特定時間內需要處理的任務類型和數量，通常涉及大量的數據處理或數據庫相關的任務

*順序讀寫（Sequential Read/Write）：對單個文件的數據進行順序讀寫的速度

*隨機讀寫（Random Read/Write）：對多個分散文件的數據進行讀寫的速度