新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品在高負(fù)載條件下能夠保持較低的傳導(dǎo)損耗，其開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM）顯著提升高達(dá)30%。在強(qiáng)化性能的同時(shí)，確保了卓越的可靠性。

日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出其新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品，旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場(chǎng)提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品在高負(fù)載條件下能夠保持較低導(dǎo)通損耗的同時(shí)，其開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM）顯著提升高達(dá)30%。新品在強(qiáng)化性能的同時(shí)，確保了卓越的可靠性。Gen3 MOSFET不僅通過(guò)AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證，更具備更長(zhǎng)的使用壽命和高濕高壓反偏（HV-H3TRB）耐受能力。

隨著電動(dòng)汽車 (EV)、人工智能數(shù)據(jù)中心和可再生能源系統(tǒng)對(duì)電力需求的激增，電源轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)的能效損耗將大幅加重供電與散熱系統(tǒng)負(fù)擔(dān)。在電動(dòng)汽車應(yīng)用領(lǐng)域，AOS第三代αSiC MOSFET可助力工程師打造更高功率密度與能效的系統(tǒng)架構(gòu)，有效降低電池能耗并延長(zhǎng)續(xù)航里程。對(duì)于采用800V或±400V高壓直流架構(gòu)的下一代AI數(shù)據(jù)中心，該產(chǎn)品系列通過(guò)降低損耗與提升功率密度，能夠滿足持續(xù)增長(zhǎng)的電力需求。AOS第三代1200V器件將成為支撐這些高系統(tǒng)電壓新拓?fù)浼軜?gòu)的關(guān)鍵元件，為行業(yè)提供不可或缺的高效解決方案。

AOS全新第三代1200V MOSFET現(xiàn)產(chǎn)品采用TO27-4L封裝，提供15毫歐（AOM015V120X3Q）至40毫歐（AOM040V120X3Q）導(dǎo)通電阻（Rds(on)）選項(xiàng)。公司還計(jì)劃陸續(xù)推出采用表面貼片封裝、頂部散熱封裝及模塊封裝的同系列產(chǎn)品。針對(duì)大功率電動(dòng)汽車牽引逆變器模塊應(yīng)用，AOS已完成第三代1200V/11毫歐大尺寸晶圓的認(rèn)證工作，現(xiàn)開放晶圓銷售。