新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產品在高負載條件下能夠保持較低的傳導損耗，其開關品質因數（FOM）顯著提升高達30%。在強化性能的同時，確保了卓越的可靠性。

日前，集設計研發、生產和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達克代碼:AOSL）推出其新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產品，旨在為蓬勃發展的工業電源應用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產品相比，該系列產品在高負載條件下能夠保持較低導通損耗的同時，其開關品質因數（FOM）顯著提升高達30%。新品在強化性能的同時，確保了卓越的可靠性。Gen3 MOSFET不僅通過AEC-Q101車規認證，更具備更長的使用壽命和高濕高壓反偏（HV-H3TRB）耐受能力。

隨著電動汽車 (EV)、人工智能數據中心和可再生能源系統對電力需求的激增，電源轉換環節的能效損耗將大幅加重供電與散熱系統負擔。在電動汽車應用領域，AOS第三代αSiC MOSFET可助力工程師打造更高功率密度與能效的系統架構，有效降低電池能耗并延長續航里程。對于采用800V或±400V高壓直流架構的下一代AI數據中心，該產品系列通過降低損耗與提升功率密度，能夠滿足持續增長的電力需求。AOS第三代1200V器件將成為支撐這些高系統電壓新拓撲架構的關鍵元件，為行業提供不可或缺的高效解決方案。

AOS全新第三代1200V MOSFET現產品采用TO27-4L封裝，提供15毫歐（AOM015V120X3Q）至40毫歐（AOM040V120X3Q）導通電阻（Rds(on)）選項。公司還計劃陸續推出采用表面貼片封裝、頂部散熱封裝及模塊封裝的同系列產品。針對大功率電動汽車牽引逆變器模塊應用，AOS已完成第三代1200V/11毫歐大尺寸晶圓的認證工作，現開放晶圓銷售。