“不過，碳化硅器件在應用上的短板，對我國碳化硅產業鏈的完整性產生了直接影響。”國家電網中國電力科學研究院電力電子所副總工程師楊霏說，碳化硅器件在電網應用仍處于示范工程階段，隨著碳化硅產業對新能源汽車、智能電網等滲透率持續提升，這一市場需求有望加快打開。“隨著分布式電源進入配網并形成有源配網后，電力電子技術將成為新型電力系統剛需。一旦變成剛需，電網對碳化硅器件的需求量，較現在將呈現出數量級的大幅增長”。

據悉，萬伏千安級碳化硅器件正在加快研發，在近年內實現樣品研制后將逐步進入商業化批量應用，屆時國產碳化硅器件有望全面覆蓋高壓輸電領域，以產能與技術的“雙向奔赴”推動新型電力系統建設。

這一背景下，天岳先進以硬核技術助力行業新突破。

據天岳先進介紹，目前基于量產的n型碳化硅襯底制備的單極型MOSFET器件主要用于600-1200V的中壓應用場景，對于特高壓系統10kV以上的耐壓器件，p型碳化硅襯底制備的雙極型IGBT器件具有巨大的應用潛力。另外，基于p型襯底的SiC IGBT模塊，可減少50%串聯器件數量，降低換流閥損耗40%以上。這種本質性的性能提升，單條特高壓直流線路年節電可超1億度。

我國已在n型碳化硅襯底領域取得重要進展，p型襯底因其特殊的摻雜工藝和技術門檻，尚處于產業化黎明期。

在SEMICON China2025展會上，天岳先進全方位展示了6/8/12英寸碳化硅襯底產品矩陣,包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導電p型及12英寸導電n型碳化硅襯底。
 

source：天岳先進
 

隨著碳化硅行業全面邁入“12英寸新時代”，碳化硅器件也將在光伏儲能等清潔能源、5G通訊及高壓智能電網等產業應用上迎來快速發展。