近期，方正微電子正式發(fā)布第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，在第一代的高可靠基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提升性能，縮小Die size，提升FOM值，實(shí)現(xiàn)了在行業(yè)主流芯片面積需求條件下性能提升，可靠性3倍于行業(yè)通用認(rèn)證要求：高導(dǎo)通電阻（13mΩ）、高擊穿電壓（>1500V）、高閾值電壓（3V）、高可靠性（＞3000小時(shí)）以及可支持1000VDC電驅(qū)系統(tǒng)等特點(diǎn)。
source：方正微電子
方正微電子介紹，第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS對(duì)標(biāo)行業(yè)頭部友商最新的第四代車規(guī)主驅(qū)產(chǎn)品。此外，公司車規(guī)主驅(qū)第一代SiC MOS已大規(guī)模上車，預(yù)計(jì)2025年將實(shí)現(xiàn)上乘用車主驅(qū)幾十萬輛車的新跨越。方正微電子車規(guī)/工規(guī)SiC全系產(chǎn)品聚焦新能源車、光儲(chǔ)充、UPS、工業(yè)電源、AI服務(wù)器以及新興應(yīng)用機(jī)器人、eVTOL、電動(dòng)船舶等應(yīng)用領(lǐng)域，已大規(guī)模出貨，服務(wù)行業(yè)客戶。
與此同時(shí)，方正微電子攜碳化硅全場景解決方案亮相上海慕尼黑展會(huì)，覆蓋新能源汽車、新興應(yīng)用及光儲(chǔ)充等多個(gè)領(lǐng)域。其中，新能源汽車領(lǐng)域，方正微電子展示了G1/G2/G3三代車規(guī)碳化硅晶圓、襯底、外延、裸die器件、模組；光儲(chǔ)充領(lǐng)域，展示了SiC MOS單管及模組，與SiC SBD解決方案。
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