近期，方正微電子正式發布第二代車規主驅SiC MOS 1200V 13mΩ產品，在第一代的高可靠基礎上，進一步提升性能，縮小Die size，提升FOM值，實現了在行業主流芯片面積需求條件下性能提升，可靠性3倍于行業通用認證要求：高導通電阻（13mΩ）、高擊穿電壓（>1500V）、高閾值電壓（3V）、高可靠性（＞3000小時）以及可支持1000VDC電驅系統等特點。
source：方正微電子
方正微電子介紹，第二代車規主驅SiC MOS對標行業頭部友商最新的第四代車規主驅產品。此外，公司車規主驅第一代SiC MOS已大規模上車，預計2025年將實現上乘用車主驅幾十萬輛車的新跨越。方正微電子車規/工規SiC全系產品聚焦新能源車、光儲充、UPS、工業電源、AI服務器以及新興應用機器人、eVTOL、電動船舶等應用領域，已大規模出貨，服務行業客戶。
與此同時，方正微電子攜碳化硅全場景解決方案亮相上海慕尼黑展會，覆蓋新能源汽車、新興應用及光儲充等多個領域。其中，新能源汽車領域，方正微電子展示了G1/G2/G3三代車規碳化硅晶圓、襯底、外延、裸die器件、模組；光儲充領域，展示了SiC MOS單管及模組，與SiC SBD解決方案。
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