三菱電機集團今日（2025年4月15日）宣布，將于4月22日開始供應兩款新型空調及家電用SLIMDIP系列功率半導體模塊樣品——全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）和混合SiC SLIMDIP（PSH15SG1G6）。作為該企業SLIMDIP系列中首款采用SiC技術的緊湊型端子優化模塊，這兩款產品在小型至大型電器應用中均能實現優異的輸出性能與功耗降低，顯著提升能效表現。三菱電機將在PCIM Expo&Conference 2025（5月6-8日，德國紐倫堡）及日本、中國等國家的行業展會上展出這兩款產品。
三菱電機新開發的SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）芯片已集成至兩款新型SLIMDIP封裝中。與現行硅基逆導型絕緣柵雙極晶體管（RC-IGBT）SLIMDIP模塊相比，新型SiC模塊可為大容量家電提供更高的輸出功率。此外，與硅基模塊相比，全SiC SLIMDIP的功率損耗降低了79%1，混合SiC SLIMDIP的功率損耗降低了47%1，可使電器更節能。通過這兩款新型模塊與現有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊的組合，SLIMDIP系列現可為空調等家電的逆變器電路板提供三種選擇，每種選擇可分別滿足不同電氣容量與性能需求，在保持相同封裝的前提下，幫助減輕逆變器基板的設計負擔。
產 品 特 點
該系列首款SiC MOSFET模塊，幫助提升家電用大容量逆變器的輸出功率
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由于內置了新開發的專為SLIMDIP封裝優化的SiC MOSFET芯片，作為首款面向大容量家電的SiC SLIMDIP功率半導體模塊，其輸出功率較現有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊顯著提高
全SiC SLIMDIP模塊將功率損耗降低了79%，顯著提升家電能效
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全新SiC MOSFET模塊適配全SiC SLIMDIP的芯片尺寸與特性，與現行硅基模塊相比可降低79%1的功率損耗，顯著提升家電能效。當應用于空調壓縮機逆變器電路時，更可實現年功率損耗降低80%2
得益于SiC MOSFET和RC-IGBT，混合SiC SLIMDIP模塊將功率損耗降低了47%
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三菱電機將SiC MOSFET和RC-IGBT集成到單個功率半導體模塊中并應用于家電領域，與目前的硅基模塊相比，混合SiC SLIMDIP能夠將功耗降低47%1。當應用于空調壓縮機逆變器電路時，更可實現年功率損耗降低41%2
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混合SiC SLIMDIP內部封裝了多個元件及連線，采用同一IC來驅動并聯的SiC MOSFET（低電流下低導通電壓）和Si RC-IGBT（高電流導通特性）并將之應用于家電領域
主要規格
背景
為實現更高水平的脫碳目標，市場對能夠高效轉換電力的家電用功率半導體的需求正持續增長，例如控制空調、洗衣機中壓縮機與風扇的逆變器。全球范圍內，家用電器的節能逆變器正加速普及，而日本更在不斷加強家電能效的法規約束。在此背景下，對有助于提升逆變器效率的高性能功率半導體，其市場需求預計將保持持續增長態勢。
三菱電機于1997年實現DIPIPM智能功率半導體模塊商業化量產，該模塊采用壓注模結構，集成了具有驅動和保護功能的開關元件與控制IC。2010年，三菱電機推出了搭載SiC功率半導體模塊的“霧峰”家用空調。2015年，三菱電機發布了采用RC-IGBT的SLIMDIP系列模塊，較第6代超小型DIPIPM體積縮小約30%，助力家電產品向小型化與高能效演進。2016年，三菱電機公布了全SiC超小型DIPIPM，進一步推進家用空調的節能化。
注：混合SiC SLIMDIP產品所采用的并聯驅動與封裝技術，是與日本新能源產業技術綜合開發機構（NEDO）資助的"脫碳社會節能技術商業化開發促進計劃"合作研發的成果。
網站
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