在當前半導體行業整體面臨挑戰的背景下，功率半導體領域卻憑借其獨特的市場定位和應用領域的不斷拓展，展現出了穩健的增長態勢。特別是隨著新能源汽車以及光伏產業的一路狂奔，功率半導體的市場規模在半導體行業整體下滑的大趨勢下逆勢生長，業績在一眾半導體公司中顯得非常亮眼。

中國作為全球最大的功率半導體消費市場，其市場規模持續擴大，對全球功率半導體市場的貢獻日益顯著。根據Omida的數據預測，未來幾年全球及中國功率半導體市場規模將持續增長，展現出強勁的發展潛力。

值得注意的是，第三代半導體產業的快速發展也為功率半導體市場帶來了新的機遇。與第一代和第二代半導體相比，第三代半導體具有更高的能量轉換效率和更低的能耗，因此在新能源汽車、智能電網等領域具有廣泛的應用前景。國內外功率器件企業紛紛布局第三代半導體領域，通過提升產品性能和拓展市場空間來搶占市場先機。

2025年，中國功率半導體市場無疑將處于一個充滿機遇與挑戰并存的關鍵時期。隨著全球對可再生能源和高效能源利用的重視程度日益提升，功率半導體作為能源轉換與控制的核心器件，其市場需求必將呈現出強勁的增長態勢。

為了更好地解讀產業格局，探索未來的前進方向，分享行業領軍企業的成功經驗，共同展望2025年的美好前景，《變頻器世界》策劃了《2025年，功率半導體的機會在哪里？》專題報道。

本期嘉賓是深圳愛仕特科技有限公司營銷總監宋浩。

變頻器世界：2024年，貴公司推出了哪些富有競爭力的功率器件產品或者解決方案？他們的競爭力體現在哪些方面？

宋浩：2024年，愛仕特科技在碳化硅（SiC）功率器件領域推出了多項創新產品和解決方案，進一步鞏固了行業領先地位。

首先，LPD系列超低電感碳化硅功率模塊的發布是年度重要突破。該模塊采用三相全橋設計，集成1200V碳化硅MOSFET和高精度熱敏電阻，雜散電感低至2.5nH，工作頻率高達30kHz，輸出功率突破300kW，適用于電動汽車、光伏逆變器等高頻高效場景。其性能顯著優于國內外同類產品，性價比突出，成為新能源領域的關鍵組件。

其次，3300V/60A碳化硅MOSFET的規模化量產填補了國內技術空白。該器件耐壓高達3300V以上，導通電阻僅58mΩ，支持175℃高溫工作，具備低開關損耗和高頻特性，在新能源汽車、軌道交通等領域顯著提升了系統效率與功率密度，降低了整車成本和散熱設計難度。

此外，愛仕特還推出了62mm/34mm工業標準封裝碳化硅模塊，突破硅基IGBT的功率密度極限。該模塊采用全焊片工藝和對稱環流設計，寄生參數極低，支持250kW以上中高功率應用，兼容主流接口，可快速替換傳統方案，廣泛應用于儲能、充電樁和工業電源領域，助力系統小型化和輕量化。

這些產品的競爭力體現在材料革新（碳化硅的高耐壓、低損耗特性）、技術領先（如超低電感封裝、高集成度設計）以及成本優勢（高性價比替代進口方案），同時覆蓋從650V至3300V的全電壓范圍，滿足多樣化市場需求。

變頻器世界：請分享下貴公司在新能源領域和汽車領域的布局，以及產品的技術優勢和市場表現。

宋浩：愛仕特科技以碳化硅（SiC）功率器件為核心，深度布局新能源汽車全產業鏈，覆蓋三電系統、充電設施及車載電源等關鍵領域，提供高可靠性、高效率的功率芯片及模塊解決方案。

汽車領域布局及產品技術優勢：

1. 電機控制器：推出HPD/DCS12/MD3/LPD系列車規級碳化硅功率模塊，適配不同功率等級需求。其中，HPD系列采用全橋集成設計，支持1200V耐壓和300kW輸出，優化電驅系統的能量轉換效率，助力整車續航提升。模塊內置高精度熱管理單元，可在-40℃至175℃寬溫域穩定運行，滿足嚴苛車規要求。

2. 直流充電器電源模塊：推出TO-247系列SiC MOSFET和MEP系列碳化硅功率模塊，基于SiC芯片技術，實現超高功率密度（如MEP模塊支持800V高壓平臺，充電效率＞98%），顯著縮短充電時間并降低系統體積，已批量應用于頭部車企超充樁項目。

3. 車載直流變換器：TO-247系列/ TO-263系列SiC MOSFET專為車載DC-DC轉換設計，支持雙向能量流動，效率達97%以上，適配高壓電池平臺與低壓系統間的電能分配，提升整車能源利用率。

4. 車載空調壓縮機： D21系列碳化硅驅動模塊，采用低損耗拓撲結構，減少壓縮機高頻工作時的能量浪費，相比傳統方案節能15%以上，這不僅提升了電動汽車的續航里程，還降低了運行成本，并顯著提升了乘坐的舒適度。

5. 市場表現與技術競爭力：

· 愛仕特碳化硅模塊已進入多家主流車企供應鏈，覆蓋電驅、充電、車載電源等核心場景，產品在頭部車企實現規模化應用。

· 在充電領域，MEP系列模塊憑借高耐壓、低損耗特性，成為800V超充樁的核心組件，市場占有率持續攀升。

· 技術層面，公司通過車規級SiC芯片定制化設計和多拓撲封裝技術（如三相全橋、半橋集成），實現功率密度、效率及可靠性的綜合突破，滿足ASIL-D功能安全認證要求。

未來，愛仕特將持續拓展碳化硅在高壓快充、800V電驅等領域的應用，推動新能源汽車向高效化、輕量化發展，助力全球“雙碳”目標實現。

變頻器世界：第三代半導體技術目前在許多應用場景都很活躍，展望2025年，貴公司認為行業最大的機會在哪里？貴公司將如何開拓這些市場？

宋浩：展望2025年，第三代半導體技術（以碳化硅、氮化鎵為核心）將在高壓化、高頻化及高能效化場景中迎來爆發式增長，尤其在新能源汽車、可再生能源和工業能源轉換領域。愛仕特認為，行業最大的機會源于新能源汽車高壓平臺的快速普及。隨著800V及以上電壓架構成為主流，碳化硅器件在電驅系統、超充樁和車載電源中的需求將大幅提升，預計相關市場年復合增長率超過30%。此外，光儲充一體化系統的加速落地將進一步依賴碳化硅的高頻高效特性，其在降低系統損耗、提升功率密度方面的優勢將推動光伏逆變器、儲能變流器等關鍵設備的升級。與此同時，工業領域如氫能裝備、軌道交通對大功率、耐高溫器件的需求激增，碳化硅技術將成為替代傳統硅基方案的核心驅動力。

為把握這些機遇，愛仕特將從技術研發、產能擴張和生態合作三方面發力。技術上，公司將加速第四代SiC MOSFET芯片的量產，突破3300V以上耐壓等級并優化動態損耗性能，同時推出新的功率模塊產品，簡化客戶系統設計。產能方面，計劃在2025年完成車規級碳化硅模塊產線擴產，以滿足高壓快充、工業變頻器等領域的規模化需求。生態合作上，愛仕特將深化與頭部車企及能源企業的戰略聯盟，共同定義下一代高壓平臺標準，并聯合科研機構攻關超結碳化硅、雙面散熱封裝等前沿技術，鞏固產業鏈協同優勢。針對細分場景，公司還將推出差異化解決方案，例如面向超充樁的高密度模塊、適配新能源汽車的高壓DC-DC方案，以及工業變頻器專用的低電感封裝模塊，以精準匹配市場需求。

未來，愛仕特將以全產業鏈技術能力為依托，持續推動第三代半導體在高效能源轉換中的應用，助力全球產業向綠色化、智能化加速轉型。

變頻器世界：貴公司是如何保證半導體器件品質的，都做了哪些努力？

宋浩：愛仕特的企業精神是“客戶至上，品質優先”，我們始終將產品質量視為企業生命線，通過構建全流程質量管理體系確保碳化硅功率器件的高可靠性。在研發階段，公司采用車規級芯片設計標準，結合仿真建模與極限工況測試，優化SiC MOSFET的抗沖擊能力和長期穩定性。生產環節，引入國內外領先的全自動化封裝產線，通過精密焊接工藝和真空灌封技術降低器件內部缺陷率，同時嚴格篩選上游碳化硅晶圓材料，確保芯片基底的高純度與一致性。測試驗證上，所有產品均按照AEC-Q101、AQG-324等車規測試，并完成HTRB（高溫反向偏壓）、H3TRB（高溫高濕反偏）等嚴苛可靠性實驗，模擬極端環境下的性能衰減，保障器件在-40℃至175℃寬溫域內的穩定運行。此外，愛仕特實時追蹤客戶應用數據并迭代工藝，形成“研發-生產-反饋”閉環，持續提升產品良率與壽命。

變頻器世界：成本是把雙刃劍，貴公司如何看待行業的低價和同質化競爭？貴公司有哪些好的做法和建議？

宋浩：行業低價和同質化競爭是市場發展的必然階段，面對這樣的階段，愛仕特堅持 “技術差異化+成本精益化”雙輪驅動策略。一方面，公司通過垂直整合技術鏈條降低綜合成本——自研第四代SiC芯片技術將晶圓利用率提升20%，提升封裝工藝，減少耗材，規模化量產推動單器件成本年均下降15%；另一方面，聚焦高端應用場景開發定制化模塊（如800V超充專用系列、高壓DC-DC方案），以高頻高效、高功率密度等性能優勢避開低端紅海市場。針對同質化問題，愛仕特強化知識產權布局，已積累申請100余項核心專利，并通過多拓撲封裝技術滿足客戶多樣化需求，形成技術壁壘。

對于行業建議，我們認為企業需平衡短期價格競爭與長期技術投入：

· 上游協同：聯合材料供應商優化碳化硅襯底生長技術，降低原材料成本；

· 場景深耕：針對新能源汽車、光儲等高速增長領域提供系統級解決方案，提升附加值；

· 標準引領：主導或參與行業標準制定，推動高性能器件認證體系完善，以品質差異化突圍。

愛仕特將持續以技術創新為核心，通過成本優化與價值創造的雙重路徑，引領第三代半導體行業向高質量、高效益方向發展。