10月22日，由EEVIA主辦的第 12 屆中國(guó)硬科技產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新趨勢(shì)峰會(huì)暨百家媒體論壇在深圳隆重舉行，百家媒體齊聚，中自網(wǎng)受邀參加本次峰會(huì)。峰會(huì)同時(shí)邀請(qǐng)到艾邁斯歐司朗、Qorvo、富士通半導(dǎo)體、飛凌微、安謀科技、清純半導(dǎo)體等行業(yè)知名企業(yè)的專家大咖帶來亮點(diǎn)議題，與參會(huì)者共同探討硬科技產(chǎn)業(yè)鏈的創(chuàng)新趨勢(shì)與未來發(fā)展方向。小編現(xiàn)將各位專家大咖演講的主要內(nèi)容進(jìn)行了摘錄整理，希望讓大家可以撥開迷霧洞見行業(yè)未來。
艾邁斯歐司朗：以光和智能相結(jié)合，引領(lǐng)智能駕駛時(shí)代
艾邁斯歐司朗高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理羅理在《LED，智能駕駛中的光與智》開場(chǎng)演講中介紹艾邁斯歐司朗以光和智能相結(jié)合，在汽車照明市場(chǎng)特別是在人車互動(dòng)方面推出的創(chuàng)新光源，以及由這些創(chuàng)新光源所帶來或者推動(dòng)的整個(gè)汽車燈具設(shè)計(jì)的發(fā)展和更多的想象空間。
隨著現(xiàn)在汽車LED的廣泛應(yīng)用，我們已經(jīng)經(jīng)歷了從普通光源到LED光源的轉(zhuǎn)變。而且隨著數(shù)字化、智能化以及節(jié)能減排、新能源等大趨勢(shì)的演變，整個(gè)汽車行業(yè)也經(jīng)歷了比較重大的變革。在這個(gè)行業(yè)里面，汽車照明和汽車燈具也經(jīng)歷了一系列相應(yīng)的變革。
AI時(shí)代的到來，汽車已經(jīng)變成更像移動(dòng)大腦——以后的車子不再是沙發(fā)加四個(gè)輪子，更將帶來一些智能化的功能或設(shè)施。在這個(gè)基礎(chǔ)之上，作為一個(gè)光源廠家，我們?nèi)绾魏虯I時(shí)代相連接？非常幸運(yùn)的是從LED來講，我們是以光子作為媒介。如果把一個(gè)智能化汽車看成一個(gè)大腦，LED是智能的眼睛，它是整個(gè)AI大腦和終端用戶（駕駛員、乘坐者和道路使用者）之間交互的媒介。所以，今后的市場(chǎng)發(fā)展當(dāng)中，LED仍然占據(jù)著非常重要的地位。
艾邁斯歐司朗在汽車照明行業(yè)已經(jīng)有非常長(zhǎng)久的歷史，做光源已經(jīng)超過一百年歷史，在汽車光源領(lǐng)域也已經(jīng)超過四十年的歷史。從最早普通的有插腳的二極管，到現(xiàn)在有多種封裝的小功率、大功率產(chǎn)品，已經(jīng)演變成更多高技術(shù)含量有創(chuàng)新性的東西。我們一直是汽車光源技術(shù)創(chuàng)新的領(lǐng)航者，希望通過創(chuàng)新帶來整個(gè)汽車燈具的創(chuàng)新發(fā)展。
最新推出的25,600像素的EVIYOS® 2.0，是業(yè)界第一款光與電子相結(jié)合的LED。也就是說，在正常LED底下會(huì)有一個(gè)直接的CMOS電路，通過它去控制LED的亮和滅。25,600個(gè)像素點(diǎn)，每個(gè)像素點(diǎn)都可以獨(dú)立尋址開關(guān)，而且每個(gè)像素點(diǎn)的大小大概只有微米級(jí)。每個(gè)燈點(diǎn)都能自主控制亮滅，智能判斷是否避開行人和車輛，避免眩光，從而提升夜間駕駛的舒適與安全。
智能RGB LED產(chǎn)品OSIRE®E3731i，是業(yè)界首個(gè)推出基于OSP開放架構(gòu)的、把LED和驅(qū)動(dòng)集成在一個(gè)封裝的產(chǎn)品。OSIRE® E3731i通過智能RGB燈讓車內(nèi)燈光與音樂節(jié)奏同步，或根據(jù)用戶的情緒變化調(diào)節(jié)光色，打造真正的“第三生活空間”。
SYNIOS® P1515創(chuàng)新性封裝的LED芯片，最初是用在汽車內(nèi)飾的直下式背光產(chǎn)品。現(xiàn)在汽車內(nèi)飾的屏幕越來越多，在屏幕背光方式上也從側(cè)入式往直下式背光做轉(zhuǎn)換。SYNIOS® P1515的封裝是1.5×1.5 mm2 ，通過360°輻射的側(cè)發(fā)光LED將復(fù)雜照明組件簡(jiǎn)化為緊湊高效的設(shè)計(jì)，降低了成本并保持了高質(zhì)量的光效表現(xiàn)。
中國(guó)汽車市場(chǎng)正逐漸脫離跟隨者的角色。以前看歐美流行什么就跟進(jìn)，現(xiàn)在中國(guó)市場(chǎng)演變出更新的趨勢(shì)變化、嶄新的需求。特別是隨著新能源汽車時(shí)代的到來，在造型上、功能上有自己獨(dú)特的創(chuàng)新。艾邁斯歐司朗也在緊跟這個(gè)步伐，扎根于中國(guó)，做了很多China for China甚至已經(jīng)推出China for Global的戰(zhàn)略，包括產(chǎn)品的創(chuàng)新。
Qorvo：拓寬業(yè)務(wù)邊界，引領(lǐng)射頻與傳感器技術(shù)新紀(jì)元
Qorvo中國(guó)高級(jí)銷售總監(jiān)江雄分享了《推進(jìn)5G創(chuàng)新：從突破射頻到UWB和應(yīng)用于下一代移動(dòng)設(shè)備的傳感器》，展示了Qorvo在5G創(chuàng)新方面的實(shí)力和前瞻性，為硬科技產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展提供了新的思路和方向。
Qorvo作為全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商，深耕射頻領(lǐng)域二十多年，近年來逐步拓展至電源領(lǐng)域，開發(fā)出集成方案，不斷提升射頻前端的性能與緊湊性。
在射頻領(lǐng)域，Qorvo作為全球領(lǐng)先的射頻供應(yīng)商，一直不斷追求提供更好的集成方案。集成方案從當(dāng)年的Phase 2開始到現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)化到Phase 8了，新一代的集成方案比上一代的集成方案在面積上有更好的提升，節(jié)省射頻前端尺寸50%以上。同時(shí)電流功率上的提升，給手機(jī)提供了更多空間給電池。新一代的集成方案可以減少成本，非常受手機(jī)廠商的喜歡。Qorvo的濾波器已經(jīng)演進(jìn)到第七代，無論是尺寸還是插入損耗、帶外抑制方面的表現(xiàn)都更好了。
Qorvo的Force Sensors（壓力傳感器）具有尺寸超小，功耗超低、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)，并且達(dá)到了AECQ100的標(biāo)準(zhǔn)，不只是應(yīng)用在手機(jī)上，在汽車上也被廣泛使用，從車外到車內(nèi)，從車門、方向盤到控制面板，有多家知名整車廠商都有使用Qorvo的MEMS傳感器方案。在已上市車型中最多的一款用了28顆Sensor，這是一個(gè)非常強(qiáng)的需求，可以讓人機(jī)交互體驗(yàn)更加流暢，界面更加時(shí)尚，也可以增加更多的方式。
Qorvo打造的Sensor Fusion方案可以更防水、防油、防誤觸，甚至人們戴手套也可以使用，所以在很多領(lǐng)域都得以應(yīng)用，如智能穿戴、筆記本、智能家電等。Qorvo根據(jù)自身產(chǎn)品的特點(diǎn)，構(gòu)建了直壓式、背貼式等多種傳感器安裝方式，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)于靈敏度和生產(chǎn)工藝的需求，旨在給消費(fèi)者更炫酷的工業(yè)設(shè)計(jì)、更享受的操作體驗(yàn)。
在提升射頻前端集成度的同時(shí)，Qorvo也在探索UWB技術(shù)的更多應(yīng)用。UWB不僅在智能手機(jī)中擴(kuò)展了定位和數(shù)據(jù)傳輸功能，還在汽車鑰匙、安全系統(tǒng)等場(chǎng)景中憑借其高精度和高安全性脫穎而出。
Qorvo可以為用戶提供一整套完整的、創(chuàng)新的解決方案。結(jié)合豐富的內(nèi)部技術(shù)資源和多樣化產(chǎn)品組合，還有軟件的支持和國(guó)內(nèi)的軟件團(tuán)隊(duì)，為給整個(gè)中國(guó)客戶打造適合的解決方案。
RAMXEED：全新一代FeRAM，高可靠性和無遲延應(yīng)用
富士通半導(dǎo)體，正以全新面貌——RAMXEED亮相本屆峰會(huì)。RAMXEED（原富士通半導(dǎo)體）總經(jīng)理馮逸新帶來了《全新一代FeRAM，高可靠性和無遲延應(yīng)用首選》的分享。
RAMXEED（原富士通半導(dǎo)體）目前只專注于高性能存儲(chǔ)器FeRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與ReRAM（阻變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），并在此基礎(chǔ)上開發(fā)了一系列定制化產(chǎn)品。生產(chǎn)銷量主要是日本為主，日本主要以定制芯片ASIC為主；剩下就是亞太，亞太主要是在中國(guó)大陸和中國(guó)臺(tái)灣，中國(guó)臺(tái)灣主要是FA和醫(yī)療電子標(biāo)簽，大陸主要是表計(jì)、FA、新能源汽車充電樁、PV（光伏發(fā)電的設(shè)備）逆變器和儲(chǔ)能應(yīng)用。
跟傳統(tǒng)的Memory相比，F(xiàn)eRAM的寫入方式是覆蓋寫入。NOR Flash、EEPROM需要擦除的操作。讀寫的速度，F(xiàn)eRAM要更快一些，是納秒級(jí)的，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過NOR flash、EEPROM。另外，讀寫耐久性也是FeRAM最大的特點(diǎn)之一，讀寫次數(shù)有1013、1014之多，在某種意義上相當(dāng)于無限次， 一般EEPROM、NOR Flash都有寫入次數(shù)的限制。基于這兩個(gè)特點(diǎn)，在實(shí)時(shí)寫入、掉電保護(hù)等，比如需要讀寫次數(shù)比較高的電表應(yīng)用當(dāng)中，F(xiàn)eRAM有不可替代的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。
最近幾年ReRAM在全球受到很多關(guān)注，很多人認(rèn)為NOR Flash在下一代的時(shí)候工藝會(huì)進(jìn)入瓶頸，未來可以替代NOR Flash的是ReRAM，但是ReRAM目前量產(chǎn)最大的容量是12Mb。現(xiàn)在要替代NOR Flash，ReRAM的容量需要達(dá)到16Mbit到1Gb，根據(jù)報(bào)道，包括海力士、中芯國(guó)際（SMIC）、中芯國(guó)際（SMIC）等知名半導(dǎo)體公司都在研發(fā)這個(gè)產(chǎn)品。
富士通半導(dǎo)體（現(xiàn)RAMXEED）是實(shí)現(xiàn)ReRAM量產(chǎn)的為數(shù)不多的半導(dǎo)體供應(yīng)商，目前最大容量12Mbit。目前ReRAM，大家可以這么理解，相當(dāng)于EEPROM的加強(qiáng)版，容量更大，DIE（晶粒）尺寸更小，讀出功耗更低。這就適合于助聽器，因?yàn)橹犉鞑恍枰獙懭耄鶕?jù)每個(gè)人的聽力能力，設(shè)定一個(gè)參數(shù)，每次用的時(shí)候讀出來即可。
此外，隨著磁式旋轉(zhuǎn)編碼器向無電池化趨勢(shì)發(fā)展，RAMXEED特有的高速寫入、耐久讀寫、超低功耗及內(nèi)置二進(jìn)制計(jì)數(shù)器的FeRAM技術(shù)成為不二之選。汽車電子領(lǐng)域?qū)Τ杀九c性能有著極高要求，傳統(tǒng)座艙電子傾向于使用EEPROM與NOR Flash，但在新能源領(lǐng)域，F(xiàn)eRAM憑借其高附加值與卓越性能成為更優(yōu)選擇。特別是在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，F(xiàn)eRAM的高速寫入與多次寫入能力使其成為記錄電池狀態(tài)、壽命及充放電周期的理想存儲(chǔ)器。
歐洲推出的“電池護(hù)照”制度，要求2027年后進(jìn)入歐洲市場(chǎng)的新能源電池必須附帶符合標(biāo)準(zhǔn)的電池護(hù)照，記錄電池全生命周期信息。這一制度不僅促進(jìn)了電池的回收與二次利用，也對(duì)高端存儲(chǔ)器提出了更高要求。FeRAM憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，成為推動(dòng)電池護(hù)照系統(tǒng)發(fā)展的關(guān)鍵力量。FeRAM還被廣泛應(yīng)用于卡車行車記錄系統(tǒng)，能夠在事故發(fā)生時(shí)迅速回溯關(guān)鍵信息，為事故責(zé)任判定提供有力依據(jù)。
目前世界上最大的做FeRAM的應(yīng)該只有富士通和并購Cypress的Infineon英飛凌，當(dāng)然國(guó)內(nèi)有一些品牌也在做，但是讀寫、耐久性、工作溫度范圍還完全沒有達(dá)到這兩家公司的水平。無論是從SPEC還是產(chǎn)品的封裝，富士通和infineon的產(chǎn)品之間都可以實(shí)現(xiàn)互換。
未來，RAMXEED在2025年之后開始研發(fā)，根據(jù)市場(chǎng)的需求，我們可以把速度做得更快。主要的應(yīng)用范圍包括FA、樓宇控制、RAID控制卡、FPGA的程序存儲(chǔ)。
飛凌微：端側(cè) SoC 與感知融合方案，助力車載智能視覺升級(jí)
飛凌微首席執(zhí)行官、思特威副總裁邵科發(fā)表了《新一代端側(cè) SoC 與感知融合方案，助力車載智能視覺升級(jí)》的主題演講，介紹了飛凌微在車載智能視覺升級(jí)方面的積極探索和創(chuàng)新方案。
近十多年視覺傳感器、視覺類的產(chǎn)品用得越來越多，從原來安防監(jiān)控、公共安全領(lǐng)域，擴(kuò)展到了智能手機(jī)、家用網(wǎng)絡(luò)攝像頭、門鈴等生活領(lǐng)域，以及消費(fèi)級(jí)機(jī)器視覺應(yīng)用，如掃地機(jī)器人、人臉支付系統(tǒng)等，視覺技術(shù)的應(yīng)用范圍日益拓寬。其次神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和AI算法的發(fā)展迅猛，應(yīng)用場(chǎng)景也日益增多并逐步實(shí)現(xiàn)落地。這一進(jìn)程中，視覺技術(shù)與AI的結(jié)合為各行各業(yè)以及日常生活帶來了豐富的應(yīng)用場(chǎng)景。
應(yīng)用場(chǎng)景可以簡(jiǎn)單分成三大類：一類是在端側(cè)采集數(shù)據(jù)，在云端做處理，相對(duì)實(shí)效性沒有那么高。二在端側(cè)采集數(shù)據(jù)，同時(shí)在本地中央計(jì)算來處理AI數(shù)據(jù)。三是相對(duì)挑戰(zhàn)比較大的點(diǎn)，直接在端側(cè)采集數(shù)據(jù)，同時(shí)在端側(cè)處理。這會(huì)帶來應(yīng)用上的好處：首先沒有了大數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪^程，它的延時(shí)相對(duì)會(huì)低一些，同時(shí)可靠性也會(huì)變得更強(qiáng)。另外對(duì)于現(xiàn)在來講，像數(shù)據(jù)安全、隱私保護(hù)是比較關(guān)注的，所以在一系列特定應(yīng)用上面，甚至也包括車載艙內(nèi)視覺應(yīng)用方面，大家還是希望能夠保護(hù)到原始圖像的信息。在端側(cè)做這些處理，可以有效解決這些數(shù)據(jù)被泄露的潛在可能性，同時(shí)在方案上具備更低成本及更低時(shí)效性。
基于市場(chǎng)上的需求及應(yīng)用方案上面的思考，飛凌微今年推出了M1系列三款產(chǎn)品，分別是用于車載上面的高性能ISP和兩顆用于在車載的端側(cè)視覺感知預(yù)處理的輕量級(jí)SoC。這三顆芯片采用了業(yè)內(nèi)最小的BGA 7mm×7mm封裝，有助于模組做得更加小巧，能夠在車載上做應(yīng)用的落地。M1高性能ISP能接800萬像素或兩顆300萬像素圖像數(shù)據(jù)，具有高動(dòng)態(tài)范圍和優(yōu)秀暗光性能，結(jié)合AI提升暗光效果。M1Pro和M1Max在高性能ISP基礎(chǔ)上加入了輕量級(jí)的CPU和NPU算力，可實(shí)現(xiàn)人臉識(shí)別、姿態(tài)識(shí)別等功能，M1Max算力是M1Pro的兩倍。
飛凌微是思特威全新子品牌，同時(shí)也是一家全新的子公司。結(jié)合了思特威在圖像傳感器技術(shù)以及市場(chǎng)上的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)在一些端側(cè)應(yīng)用上結(jié)合數(shù)字的SoC，能夠更好地實(shí)現(xiàn)在方案上的融合、互補(bǔ)，有助于提升在市場(chǎng)、客戶、技術(shù)和服務(wù)方面的整體表現(xiàn)，還能確保提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)和解決方案。
安謀科技：端側(cè)AI應(yīng)用“芯”機(jī)遇，NPU加速終端算力升級(jí)
安謀科技產(chǎn)品總監(jiān)鮑敏祺做了《端側(cè)AI應(yīng)用“芯”機(jī)遇，NPU加速終端算力升級(jí)》演講。
AI大模型不再束之于云端高閣，而是悄然降臨于邊緣，甚至滲透到手機(jī)、PC、汽車等在內(nèi)的每一個(gè)終端角落。端側(cè)AI新機(jī)遇是指新的AIGC大模型帶來算力提升。由于帶寬的制約，所以1-3b是大家普遍在端側(cè)、在當(dāng)前帶寬下能夠部署出來的大模型。目前國(guó)際、國(guó)內(nèi)一些主流端側(cè)大模型實(shí)際部署的體量還是集中在10b以下。
已經(jīng)有很多國(guó)內(nèi)外的廠商，從商業(yè)化的角度去推大模型。從整個(gè)市場(chǎng)的芯片制造廠商來說，大家基本上達(dá)成共識(shí)，AI NPU對(duì)于消費(fèi)類產(chǎn)品是未來重點(diǎn)投入的對(duì)象。當(dāng)然，這一解決方案并不是說只用端側(cè)的大模型，完全放棄云端。端側(cè)的優(yōu)勢(shì)在于時(shí)效性和數(shù)據(jù)本地的安全性。而在云端，有更強(qiáng)的能力，能夠獲得更大的理解力。其實(shí)對(duì)于端側(cè)的產(chǎn)品，未來的方向肯定是每一個(gè)應(yīng)用，針對(duì)每一個(gè)人，它都是不一樣的體驗(yàn)，它會(huì)隨著你的使用體驗(yàn)逐步去做針對(duì)性的訓(xùn)練，才能真正達(dá)到適合于每個(gè)人，這樣才能真正去提升整個(gè)用戶的黏度。
未來的趨勢(shì)將是多模態(tài)場(chǎng)景。這也取決于認(rèn)知，比如從人機(jī)界面來說，可能一開始就是用物理的按鍵，到后面可能是一個(gè)觸摸屏，到現(xiàn)在用手機(jī)的時(shí)候就是用語音跟你做人機(jī)交互。大家很可能常聽到一個(gè)概念叫Agent智能體。這個(gè)Agent再往下發(fā)展就能看到國(guó)際上最先進(jìn)的一些算法的發(fā)布，它不僅能夠理解或執(zhí)行你的任務(wù)，同時(shí)也會(huì)在思考，不停地通過一些強(qiáng)化學(xué)習(xí)的方法去優(yōu)化它的做法。AI最后能夠產(chǎn)生的價(jià)值，某種程度上能夠提升人的效率或者能帶給人不一樣更好的體驗(yàn)，這些往往是價(jià)值點(diǎn)。
AI技術(shù)的賦能不僅限于傳統(tǒng)設(shè)備，它還能為那些原本看似市場(chǎng)潛力有限、生命力不強(qiáng)的終端設(shè)備帶來新生。一旦這些設(shè)備被賦予了簡(jiǎn)單易用的功能，它們有可能迅速轉(zhuǎn)變?yōu)槭袌?chǎng)上的熱門產(chǎn)品。
為了應(yīng)對(duì)以上挑戰(zhàn)，安謀科技自研了“周易”NPU，并且下一代“周易”NPU具備更強(qiáng)的能力。從生態(tài)上來，無論是Wenxin、Llama、GPT等模型，我們都已經(jīng)做了對(duì)應(yīng)的部署。同時(shí)在端側(cè)，它整個(gè)覆蓋面還是比較廣的，面向PAD、PC、Mobile等各類場(chǎng)景，我們都有一定的產(chǎn)品形態(tài)或者configuration能夠適配到。對(duì)于汽車領(lǐng)域，不管是IVI還是ADAS，我們可以從實(shí)際場(chǎng)景去看究竟它的場(chǎng)景要用多少算力、用什么樣的模型，針對(duì)性的可以有最高320tops能夠提供。
清純半導(dǎo)體：碳化硅技術(shù)助力新能源汽車持續(xù)發(fā)展
清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司市場(chǎng)經(jīng)理詹旭標(biāo)做了《車載電驅(qū)&供電電源用SiC技術(shù)最新發(fā)展趨勢(shì)》演講。新能源汽車是近幾年最明星的行業(yè)之一，現(xiàn)在整個(gè)發(fā)展歷程有可能會(huì)按照光伏行業(yè)的歷程再走一遍。
目前有多少新能源汽車開始用SiC？從2017年特斯拉發(fā)布第一款基于SiC主驅(qū)的汽車，在2020年前后我國(guó)以比亞迪為代表的企業(yè)也發(fā)布了第一臺(tái)基于SiC主驅(qū)的汽車。接下來的幾年，各個(gè)主驅(qū)廠或者車廠就紛紛投身于SiC平臺(tái)的研發(fā)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年公開的國(guó)產(chǎn)SiC車型合計(jì)142款，乘用車76款，僅僅在2023年新增的款式大概是有45款。相當(dāng)于整個(gè)新能源汽車采用SiC的市場(chǎng)是完全被打開了。目前，主驅(qū)應(yīng)用的主流器件還是以1200V SiC MOSFET為主。400V的平臺(tái)目前也是采用750V的SiC在做一些替代。
碳化硅能給新能源汽車帶來哪些方面的好處：第一，提升新能源汽車的續(xù)航里程。得益于SiC MOSFETS的低導(dǎo)通電阻、低開關(guān)損耗。對(duì)比以前硅的IGBT方案，整個(gè)電機(jī)的控制器系統(tǒng)有望能降低70%的損耗，從而能增加5%的行駛里程。第二，解決補(bǔ)能焦慮的問題。目前整個(gè)行業(yè)通過提升充電的功率來解決這一部分的問題，預(yù)計(jì)在2025年，可以體驗(yàn)到15分鐘補(bǔ)電80%的電能。
整個(gè)充電樁行業(yè)，其實(shí)也是最為活躍的，也是除新能源汽車主驅(qū)最活躍的一個(gè)市場(chǎng)。目前，整個(gè)市場(chǎng)已經(jīng)進(jìn)入充分競(jìng)爭(zhēng)的時(shí)代。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2024年整個(gè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到25億人民幣。目前我國(guó)整體的汽車充電樁保有量應(yīng)該是在900-1000萬左右。如果按照2030年的整個(gè)規(guī)劃，整個(gè)汽車保有量要達(dá)到6000萬輛，同時(shí)車樁比達(dá)到1：1，相當(dāng)于在未來4-5年我們大概還要增加5000萬個(gè)充電樁。按照目前整個(gè)設(shè)計(jì)，充電模塊已經(jīng)開始用SiC，并且在DC-DC包括PFC應(yīng)用，用的數(shù)量至少是8個(gè)以上，所以整體的市場(chǎng)規(guī)模是非常巨大的。
目前，整個(gè)SiC市場(chǎng)仍然是以國(guó)外企業(yè)占主導(dǎo)地位。據(jù)Yole預(yù)計(jì)，2025年全球SiC市場(chǎng)規(guī)模將接近60億美元，并且年符合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)到36.7%左右。目前整個(gè)市場(chǎng)的頭部5家企業(yè)市場(chǎng)份額合計(jì)高達(dá)91.9%。如果把第六、第七名加進(jìn)去統(tǒng)計(jì)，整個(gè)市場(chǎng)份額可能會(huì)達(dá)到95%-98%。這些企業(yè)基本是以國(guó)外為主，目前國(guó)內(nèi)的占比是非常小的。
隨著全球SiC材料的產(chǎn)能快速擴(kuò)展，目前中國(guó)SiC器件設(shè)計(jì)跟制造也相應(yīng)地得到快速的發(fā)展，并且產(chǎn)能也是持續(xù)在擴(kuò)展。除了在主驅(qū)上的應(yīng)用，目前在光伏、儲(chǔ)能包括充電模塊，這些市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)都是非常激烈的，并且由于整個(gè)市場(chǎng)的激烈或者產(chǎn)能過剩導(dǎo)致主流器件的價(jià)格也是快速下降。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，只有提高整個(gè)企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力還有技術(shù)迭代來實(shí)現(xiàn)整個(gè)技術(shù)降本，這是SiC企業(yè)賴以生存的唯一途徑。
目前主流SiC MOSFET技術(shù)大致有兩種設(shè)計(jì)方案：一是平面柵結(jié)構(gòu)的器件，如Wolfspeed、ST、onsemi。平面柵結(jié)構(gòu)的MOSFET目前也是在國(guó)內(nèi)或者在汽車領(lǐng)域包括光伏儲(chǔ)能，它的出貨量是最大的，并且它的可靠性目前也是最好的，而且工藝是非常成熟的。二是溝槽柵，像ROHM、英飛凌、博世為代表。溝槽柵跟平面柵各有優(yōu)缺點(diǎn)，平面柵整個(gè)工藝成熟，它在高溫下導(dǎo)通電阻是相對(duì)比較低的；溝槽柵會(huì)有比較低的Rsp，就是比導(dǎo)通電阻比較低，但是它在高溫下的熱性能沒有平面柵結(jié)構(gòu)的參數(shù)這么好。
隨著整個(gè)主驅(qū)包括光儲(chǔ)充行業(yè)的快速發(fā)展，目前整個(gè)國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈也日趨完善。從材料到輔材、到襯底、外延、加工設(shè)備，包括設(shè)計(jì)、代工，現(xiàn)在基本上都是非常完善的。每個(gè)細(xì)分行業(yè)，都會(huì)出現(xiàn)非常典型的代表。整個(gè)技術(shù)水平跟國(guó)際的頭部企業(yè)，整個(gè)差距是非常小的。
根據(jù)清純半導(dǎo)體的技術(shù)路線圖，我們基本上是以1年1代的節(jié)奏快速迭代，從我們第一代產(chǎn)品Rsp是在3.3mΩ左右；去年發(fā)布我們第二代產(chǎn)品是在2.8mΩ；目前跟國(guó)際巨頭最先進(jìn)的技術(shù)水平是完全打平的。清純半導(dǎo)體針對(duì)主驅(qū)領(lǐng)域有推出比較多的產(chǎn)品，比如有24平方、25平方、27平方包括30平方毫米尺寸的產(chǎn)品，但主流的包括國(guó)外廠家針對(duì)主驅(qū)的芯片也是比較少的。我們?cè)谌ツ暌舶l(fā)布了全球最低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET，大概是3.5毫歐，整個(gè)尺寸是10×10平方毫米的面積。
詹旭標(biāo)表示，SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常迅猛，國(guó)內(nèi)在SiC材料、器件量產(chǎn)已進(jìn)入內(nèi)卷和洗牌快車道。SiC功率器件在光儲(chǔ)充的國(guó)產(chǎn)替代已經(jīng)大批量應(yīng)用，成功推進(jìn)2-3年，規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，部分企業(yè)已率先完成100%國(guó)產(chǎn)替代。國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)SiC MOSFET技術(shù)與產(chǎn)能已對(duì)標(biāo)國(guó)際水平，由于各種原因，SiC MOSFET在乘用車主驅(qū)應(yīng)用目前仍依賴進(jìn)口，但我相信未來2~3年后局面肯定會(huì)有大幅改善。由于競(jìng)爭(zhēng)激烈和應(yīng)用場(chǎng)景復(fù)雜，車規(guī)級(jí)SiC MOSFET可靠性標(biāo)準(zhǔn)逐年提高，這也將進(jìn)一步推動(dòng)設(shè)計(jì)和制造技術(shù)進(jìn)步。激烈的競(jìng)爭(zhēng)促使國(guó)內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品價(jià)格快速下降、質(zhì)量不斷提高、產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)大，主驅(qū)芯片國(guó)產(chǎn)替代已經(jīng)起步，并將逐步上量，最終主導(dǎo)全球供應(yīng)鏈。國(guó)際企業(yè)與國(guó)內(nèi)企業(yè)在優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合。
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