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    PI:提供完整的電源子系統 以長遠的眼光看待市場

    已有996次閱讀2024-08-21標簽:
     PCIM ASIA 2024 即將在 8 月舉辦,為更好地解讀產業格局,探索未來的前進方向,PCIM ASIA與《變頻器世界》聯合策劃了專題報道,本次專題將圍繞 SiC 功率器件在新能源車中的應用以及車規級 SiC 器件新進展的話題,邀請業內企業及專家進行廣泛參與討論。Power Integrations市場營銷副總裁Doug Bailey受邀參與本次采訪,下文是采訪的具體內容。

     

     

     

    1、當下,“含SiC 量”成為新能源汽車比拼的一大指標,貴公司如何看待當下的新能源汽車市場?隨著市場對車規級SiC 功率器件的需求激增,貴公司將如何應對市場需求的增長?

    Doug Bailey碳化硅(SiC)對新能源汽車市場非常重要,特別是當動力電池的電壓水平從400V轉向800V時。服務于800V市場的反激式電源要求半導體能夠耐受高達1700V的電壓,而這正是SiC的理想應用領域。許多公司都瞄準了新能源汽車的傳動系統,但目前Power Integrations的汽車產品專注于EPS(應急電源系統)和DC/DC應用的高壓電源。我們在芯片上提供完整的電源子系統。

     

    2、針對EV 市場,貴公司推出了哪些SiC 產品和技術?能否介紹下貴公司針對車規級SiC 器件的策略和規劃?

    Doug BaileyPower Integrations在其廣受歡迎的InnoSwitch3-AQ產品系列中增添了符合AEC-Q100標準、1700V額定耐壓的器件版本。新IC內部集成SiC初級開關MOSFET,可提供高達70W的輸出功率,主要用于600V800V純電池和燃料電池乘用車,以及電動巴士、卡車和各種工業電源應用。

    高度集成的InnoSwitch IC可將電源的元件數量減少多達50%,從而節省大量電路板空間、增強系統可靠性并緩解元器件采購所面臨的挑戰。我們的InnoSwitch產品系列屢獲殊榮,現在有高性價比硅器件、高效氮化鎵(GaN)器件和高壓SiC晶體管可供選擇,可幫助設計人員在廣泛的消費電子、計算機、通信、工業和汽車應用中優化其功率解決方案。

     

    3、相較于其他企業,貴公司的SiC 產品和技術有著怎樣的“殺手锏”?目前,貴公司的SiC 產品和技術有哪些新的進展?

    Doug BaileyPower Integrations所提供的電源子系統采用與IC一樣的封裝。我們的整體思路是利用高度集成的器件解決系統級問題。我們采用SiC技術的InnoSwitch IC也是如此。

    800V電池正在成為電動汽車的標準配置。多個車輛系統連接到這個強大的電源,但精巧的電子控制電路只需要幾伏電壓即可進行工作和通信。使用InnoSwitch器件的電路可以使用很小的電路板面積,安全地從主母線上汲取少許能量供控制電路使用,而不會造成能量的浪費。最值得一提的是,新器件還可以大幅簡化主牽引逆變器的應急電源的設計。應急電源需要隨時準備著在30V1000V之間的任何電壓下工作。Power Integrations基于SiCInnoSwitch3-AQ器件可以輕松應對如此廣泛的工作電壓范圍。

    1700V IC采用FluxLink™反饋技術,可為次級側控制提供高達5000V有效值電壓的加強絕緣。FluxLink技術可直接檢測輸出電壓,其優勢在于可提供高精度的控制以及極其快速的動態響應特性。在無需借助外部電路的情況下,電源在30V輸入電壓下即可工作,這對滿足功能安全的要求至關重要。其他保護功能包括輸入欠壓保護、輸出過壓保護和過流限制。新器件內部還集成同步整流和準諧振(QR)/CCM反激式控制器,可實現90%以上的效率,輕松滿足最嚴格的OEM廠商要求。

     

    4、面對逐漸爆發的 SiC 市場需求,貴公司有哪些舉措為客戶提供穩定的產品供應?

    Doug BaileyPower Integrations以長遠的眼光看待市場,因此始終小心確保供應鏈穩定,即使在充滿挑戰的條件下也是如此。我們與世界各地的晶圓廠簽訂了全球獨家協議,從而保護我們的客戶免受產業鏈波峰和波谷的影響,而其他同行公司卻深受其擾。

     

    5、從硅基IGBT 切換到SiC MOSFET 的時間是否會提前?貴公司認為未來SiC 技術和產業鏈將如何演進?

    Doug Bailey我們確實看到SiC MOSFET在更高價值的應用中取代IGBT。不過有趣的是,WBG的另一項主要技術氮化鎵(GaN)也有所發展,氮化鎵可能會在中期取代IBGT和碳化硅器件。GaN的生產成本比SiC低得多,而且Power Integrations已經推出1250VGaN器件 — 這是目前市場上電壓最高的器件。我們相信,這項技術還能更上一層樓。到那時,IGBT/SiC/GaN的格局將截然不同。

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