SK海力士強調：“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發展。”

公司以1b DRAM平臺擴展的方式開發了1c工藝。SK海力士技術團隊認為，由此不僅可以減少工藝高度化過程中可能發生的嘗試錯誤，還可以最有效地將業界內以最高性能DRAM受到認可的SK海力士1b工藝優勢轉移到1c工藝。

而且，SK海力士在部分EUV工藝中開發并適用了新材料，也在整個工藝中針對EUV適用工藝進行了優化，由此確保了成本競爭力。與此同時，在1c工藝上也進行了設計技術革新，與前一代1b工藝相比，其生產率提高了30%以上。

此次1c DDR5 DRAM將主要用于高性能數據中心，其運行速度為8Gbps（每秒8千兆比特），與前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。隨著AI時代的到來，數據中心的耗電量在繼續增加，如果運營云服務的全球客戶將SK海力士1c DRAM采用到數據中心，公司預測其電費最高能減少30%。

SK海力士DRAM開發擔當副社長金鍾煥表示：“1c工藝技術兼備著最高性能和成本競爭力，公司將其應用于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先進DRAM主力產品群，由此為客戶提供差別化的價值。今后公司也將堅守DRAM市場的領導力，鞏固最受客戶信賴的AI用存儲器解決方案企業的地位。”

領先三星

業內人士早在4月8日透露，SK海力士已制定內部路線圖，計劃在第三季度內獲得客戶認證并開始量產10納米級第六代DRAM。目前業界領先的DRAM產品雙倍數據速率（DDR）5 16Gb（千兆位），預計將正式獲得與英特爾服務器平臺的兼容性認證。

一旦 SK 海力士的 DRAM 獲得英特爾 CPU 使用認證，它很快就會看到運營數據中心的大型科技公司的需求激增。英特爾與 AMD 共同主導著全球服務器 CPU 市場，占據著 70-80% 的市場份額。業內專家預測，由于 DDR5 是一種商品，各公司都在提前做好準備，預計在獲得英特爾認證后將迅速開始向亞馬遜和微軟等大客戶銷售。
 

SK海力士去年1月，10納米級第四代（1a）DDR5服務器用DRAM獲得英特爾認證，創下全球首例；5月，10納米級第五代（1b）DDR5再次創下全球首例，進入英特爾數據中心兼容性驗證階段。目前，SK海力士正加快步伐，力爭憑借即將于第三季度推出的第六代（1c）產品再創“全球首例”。

對比兩家公司公開的路線圖，SK海力士10納米級第六代DRAM量產時間表領先于三星電子。三星計劃于今年12月通過客戶認證并開始量產。上個月，在美國硅谷舉行的MemCon 2024全球半導體會議上，三星公布了其下一代DRAM的開發路線圖，宣布計劃在今年年底前量產第六代10納米級DRAM。

10nm級第六代產品將采用尖端的極紫外（EUV）光刻工藝，與之前的第五代10nm級產品相比，可實現更高的凈芯片數量（Net Die，即每個晶圓可生產的芯片數量）并提高功率效率。

三星電子還計劃在今年 12 月之前獲得客戶認證并進行量產，正如最近在硅谷舉行的 MemCon 2024 會議上所透露的那樣，該公司在會上披露了其在年底前生產第六代 10 納米級 DRAM 的計劃。

第六代 10 納米級 DRAM 代表了目前最高端的第五代 10 納米級產品的下一代。兩種工藝均采用了先進的 EUV 光刻技術，但第六代工藝將用于更多電路，從而實現比第五代工藝更高的凈芯片良率和更高的功率效率。