SK海力士強調(diào)：“隨著10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲器市場發(fā)展。”

公司以1b DRAM平臺擴展的方式開發(fā)了1c工藝。SK海力士技術(shù)團隊認(rèn)為，由此不僅可以減少工藝高度化過程中可能發(fā)生的嘗試錯誤，還可以最有效地將業(yè)界內(nèi)以最高性能DRAM受到認(rèn)可的SK海力士1b工藝優(yōu)勢轉(zhuǎn)移到1c工藝。

而且，SK海力士在部分EUV工藝中開發(fā)并適用了新材料，也在整個工藝中針對EUV適用工藝進(jìn)行了優(yōu)化，由此確保了成本競爭力。與此同時，在1c工藝上也進(jìn)行了設(shè)計技術(shù)革新，與前一代1b工藝相比，其生產(chǎn)率提高了30%以上。

此次1c DDR5 DRAM將主要用于高性能數(shù)據(jù)中心，其運行速度為8Gbps（每秒8千兆比特），與前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。隨著AI時代的到來，數(shù)據(jù)中心的耗電量在繼續(xù)增加，如果運營云服務(wù)的全球客戶將SK海力士1c DRAM采用到數(shù)據(jù)中心，公司預(yù)測其電費最高能減少30%。

SK海力士DRAM開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長金鍾煥表示：“1c工藝技術(shù)兼?zhèn)渲�最高性能和成本競爭力，公司將其�?yīng)用于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先進(jìn)DRAM主力產(chǎn)品群，由此為客戶提供差別化的價值。今后公司也將堅守DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)力，鞏固最受客戶信賴的AI用存儲器解決方案企業(yè)的地位。”

領(lǐng)先三星

業(yè)內(nèi)人士早在4月8日透露，SK海力士已制定內(nèi)部路線圖，計劃在第三季度內(nèi)獲得客戶認(rèn)證并開始量產(chǎn)10納米級第六代DRAM。目前業(yè)界領(lǐng)先的DRAM產(chǎn)品雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）5 16Gb（千兆位），預(yù)計將正式獲得與英特爾服務(wù)器平臺的兼容性認(rèn)證。

一旦 SK 海力士的 DRAM 獲得英特爾 CPU 使用認(rèn)證，它很快就會看到運營數(shù)據(jù)中心的大型科技公司的需求激增。英特爾與 AMD 共同主導(dǎo)著全球服務(wù)器 CPU 市場，占據(jù)著 70-80% 的市場份額。業(yè)內(nèi)專家預(yù)測，由于 DDR5 是一種商品，各公司都在提前做好準(zhǔn)備，預(yù)計在獲得英特爾認(rèn)證后將迅速開始向亞馬遜和微軟等大客戶銷售。
 

SK海力士去年1月，10納米級第四代（1a）DDR5服務(wù)器用DRAM獲得英特爾認(rèn)證，創(chuàng)下全球首例；5月，10納米級第五代（1b）DDR5再次創(chuàng)下全球首例，進(jìn)入英特爾數(shù)據(jù)中心兼容性驗證階段。目前，SK海力士正加快步伐，力爭憑借即將于第三季度推出的第六代（1c）產(chǎn)品再創(chuàng)“全球首例”。

對比兩家公司公開的路線圖，SK海力士10納米級第六代DRAM量產(chǎn)時間表領(lǐng)先于三星電子。三星計劃于今年12月通過客戶認(rèn)證并開始量產(chǎn)。上個月，在美國硅谷舉行的MemCon 2024全球半導(dǎo)體會議上，三星公布了其下一代DRAM的開發(fā)路線圖，宣布計劃在今年年底前量產(chǎn)第六代10納米級DRAM。

10nm級第六代產(chǎn)品將采用尖端的極紫外（EUV）光刻工藝，與之前的第五代10nm級產(chǎn)品相比，可實現(xiàn)更高的凈芯片數(shù)量（Net Die，即每個晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量）并提高功率效率。

三星電子還計劃在今年 12 月之前獲得客戶認(rèn)證并進(jìn)行量產(chǎn)，正如最近在硅谷舉行的 MemCon 2024 會議上所透露的那樣，該公司在會上披露了其在年底前生產(chǎn)第六代 10 納米級 DRAM 的計劃。

第六代 10 納米級 DRAM 代表了目前最高端的第五代 10 納米級產(chǎn)品的下一代。兩種工藝均采用了先進(jìn)的 EUV 光刻技術(shù)，但第六代工藝將用于更多電路，從而實現(xiàn)比第五代工藝更高的凈芯片良率和更高的功率效率。