據介紹，這種“薄膜”厚度僅 100 納米，其中電子的遷移速度約為傳統半導體的 7 倍從而創下新紀錄。這一成果有助科學家研發出新型高效電子設備。相關論文已經發表于《今日材料物理學》雜志

據介紹，這種“薄膜”主要是通過“分子束外延技術”精細控制分子束并“逐個原子”構建而來的材料。這種工藝可以制造出幾乎沒有缺陷的材料，從而實現更高的電子遷移率（即電子在電場作用下穿過材料的難易程度）。

簡單來說，當科學家向“薄膜”施加電流時，他們記錄到了電子以 10000 cm²/V-s 的速度發生移動。相比之下，電子在“硅半導體”中的移動速度約為 1400 cm²/V-s，而在傳統銅線中則要更慢。

這種超高的電子遷移率意味著更好的導電性。這反過來又為更高效、更強大的電子設備鋪平了道路，這些設備產生的熱量更少，浪費的能量更少。

研究人員將這種“薄膜”的特性比喻成“不會堵車的高速公路”，他們表示這種材料“對于更高效、更省電的電子設備至關重要，可以用更少的電力完成更多的工作”。

科學家們表示，潛在的應用包括將“廢熱”轉換成電能的可穿戴式熱電設備，以及利用電子自旋而不是電荷來處理信息的“自旋電子”設備。

科學家們通過將“薄膜”置于極寒磁場環境中來測量材料中的電子遷移率，然后通過對薄膜通電測量“量子振蕩”。當然，這種材料即使只有微小的缺陷也會影響電子遷移率，因此科學家們希望通過改進薄膜的制備工藝來取得更好的結果。

麻省理工學院物理學家 Jagadeesh Moodera 表示：“這表明，只要能夠適當控制這些復雜系統，我們就可以實現巨大進步。我們正朝著正確的方向前進，我們將進一步研究、不斷改進這種材料，希望使其變得更薄，并用于未來的自旋電子學和可穿戴式熱電設備。”