在電氣化、數據化、可再生能源等電力電子領域的強勁驅動下，SiC正以不可阻擋之勢替代傳統的硅基材料，成為下一代電子器件的核心技術。Yole Development預測，SiC市場規模將從 2023年的10億美元快速增長至 2027 年的 63 億美元，2030 年更將突破 150 億美元，年復合增長率高達 35%。

風口之上，SiC潛力無限。這也吸引了Qorvo的視線。近年來，Qorvo積極轉型，通過一系列的產品布局，已然成為連接和電源解決方案的全球領先供應商。SiC作為其戰略布局的重要一環，正加速釋放其潛力。

Qorvo發展SiC的底氣

在SiC領域，Qorvo并不是一個新手。早在2021年11月Qorvo就收購了UnitedSiC，這家成立于1999年的公司在SiC領域有著很深的積淀，幫助Qorvo打開了 SiC 市場之門，快速提升市場份額。

要啃下SiC這個硬骨頭，沒有點真本事可不行。Qorvo的秘密武器就在于其獨特的堆疊式共源共柵（Cascode）架構。所謂的Cascode架構，是將具有全球專利的常開（normally-on）SiC JFET與Si MOSFET共同封裝，構建出具有標準柵極驅動特性的常關（normally-off）SiCFET器件。

與傳統的SiC MOSFET架構相比：

1、Qorvo的Cascode JFET結構更簡單，沒有柵極氧化層，從根本上解決了SiC MOSFET 柵極氧化層缺陷或擊穿所帶來的SiC MOSFET器件參數性能改變或失效風險；

2、由于SiC FET少了一個Channel resistance（溝道電阻），使得Qorvo SiC FET擁有在相同封裝下的SiC device領域最低的導通電阻RDS(on)；

3、因為Cascode的反向續流導通壓降比SiC MOSFET的小很多，Qorvo的SiC FET開關速度更快，這樣可以有效減小變壓器的尺寸和減少母線濾波電容的容量，從而降低系統成本。

左圖是傳統的SiC MOSFET結構，右圖是Qorvo的Cacode JFET結構

得益于該創新性的架構，Qorvo不斷刷新SiC FET RDS(on)新低紀錄，成為業內不可忽視的力量。2019 年 12 月，發布 650V、7mΩ SiC FET，創下業界最低RDS(on)記錄，逆變器效率可達 99% 以上；2020 年 2 月，推出 DFN 8×8 封裝的 32mΩ SiC FET，再次刷新最低RDS(on)記錄；2021 年 9 月，發布的750V、6mΩ SiC FET，RDS(on)性能比同類產品低一半；2022 年 7 月推出 750V、9mΩ SiC FET，采用 D2PAK-7L 封裝，適用于高功率應用；2023 年 3 月發布 750V、5.4mΩ SiC FET，采用 TOLL 封裝，這是任何其他功率半導體技術（Si/SiC/GaN）均無法超越的。2024年2月，Qorvo推出緊湊型 E1B 封裝的 1200V SiC模塊，導通電阻RDS(on)最低為 9.4mΩ，極大地提升了效率，這一優勢在軟開關應用中尤為顯著。2024年6月，Qorvo® 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET，以超小型元件封裝的超低導通電阻 FET 器件助力電路保護等應用的發展，推動斷路器技術的革新。

如今，Qorvo的SiC產品種類已經非常豐富。下圖展示了Qorvo公司的SiC功率器件產品系列。產品主要分為四類：肖特基二極管(Schottky Diodes)、結型場效應晶體管（JFETs）、SiC 模塊和場效應晶體管(FETs)。其中，肖特基二極管系列有三種不同的額定電壓和電流規格：650V@4A到30A、1200V@2A到50A以及1700V@25A。SiC JFET系列是高性能SiC常開JFET晶體管，電壓范圍為650V至1700V，具有低至4 mΩ 的超低導通電阻(RDS(on))。SiC 模塊包含半橋和全橋兩種配置，工作電壓1200V，導通電阻RDS(on)低至 9.4mΩ。場效應晶體管系列則涉及650V、750V、1200V和1700V的不同電壓等級，從650V@6.7mΩ-80mΩ到1700V@410mΩ不等。此外，這些器件還采用行業標準封裝和引腳布局，包括表面貼裝技術(SMT)和通孔插裝技術(TH)。

產品為王，供應鏈先行。在 SiC 領域，穩定的材料供應是成功的關鍵。Qorvo 早有布局。2022 年 11 月，Qorvo 與韓國晶圓制造商 SK Siltron CSS 簽訂了多年合作協議，確保了未來發展所需的 SiC 裸片和外延片供應。

Qorvo在SiC領域的這些布局，為其在未來的競爭中奠定了堅實的基礎。

從工業領域切入，蓄力SiC未來

作為SiC領域的新進者，Qorvo選擇從工業市場撕開一個口子。相比汽車市場的激烈競爭，工業市場對可靠性、環境適應性等要求相對更寬容，為Qorvo提供了一個積累經驗和技術實力的理想環境。

在儲能和服務器等工業細分市場中，Qorvo已經展示了其SiC器件的強大潛能。

隨著全球減碳目標和能源轉型的推進，光伏一體化系統正在成為市場主流。這類系統需要高能效、高容量、低成本和長壽命，四大趨勢指向 SiC，使其成為光伏儲能應用的最佳選擇。在7kW家用光伏逆變器和家用儲能逆變器中，憑借與工業領域早期采納者的合作，Qorvo的750V 18mΩ、23mΩ D2-PAK SiC FET和1200V 150m D2-PAK SiC FET等碳化硅器件，將像太陽能逆變器和儲能等可再生能源設備的散熱量限制在最低限度。根據光伏領域的客戶反饋，使用Qorvo SiC FET比一般的SiC MOSFET提高了0.4%的系統效率。

除此之外，數據中心和服務器的蓬勃發展，也為SiC的應用帶來了發展機遇。各國高度關注數據中心能效，提高數據中心電源系統性能成為關鍵。SiC功率器件憑借高效率、高功率密度、高耐壓、高開關頻率等優勢，逐漸替代傳統的Si基功率器件，成為數據中心電源系統的升級趨勢。

與Si相比，SiC 功率器件在數據中心服務器電源中的優勢頗多：

1、在相同輸出功率下，SiC比Si器件的體積更小。數據中心運營者購買更少的電源模塊即可滿足需求，節省了空間。

2、SiC方案拓撲更簡約，可使用更高開關頻率，減少元器件數量和復雜度，降低 BOM 成本和體積。

3、SiC 耐壓強度高、熱傳導率高、開關速度快，可用于開關頻率高的應用。在相同封裝、相同工況下，SiC器件的芯片溫度比Si器件更容易控制，這也相應地提高了產品的可靠性等。

近年來，Qorvo的SiC業務實現了強勁增長。在2024 財年第一季度的財報中可以看到，Qorvo已收獲了來自 AI 服務器和其他數據中心應用的數百萬美元的 SiC 功率器件訂單。

在服務器電源單元（PSU）領域，Qorvo已與臺灣的OEM廠商合作超過2年，從研發到產品開發的深度參與，以及OEM廠商對新技術的認可，Qorvo的SiC產品如750V 33mΩ D2-PAK SiC FET和750C 18mΩ TO-247 SiC FET，已經在服務器領域備受認可。
 

基于Qorvo 750V SiC FET的3.6kW圖騰柱無橋PFC方案，它可實現最高99.37%的轉換效率，整體尺寸僅為260 x 102 x 60 mm3，具備重量輕、體積小、高功率密度等優點，可以輕松打造符合80PLUS鈦金電源規范的高性能產品方案。

2024年，以ChatGPT和Sora等為代表的大模型AI應用仍然如火如荼，可以預見數據中心服務器需求將持續增長，向SiC器件的轉變和對SiC的需求將進一步提高。盡管SiC器件的初始成本可能高于傳統硅器件，但從長遠來看，由于其能效提升帶來的節能效果，總體擁有成本（TCO）將是可觀的。因此，數據中心的能效革命可能不僅僅是由硬件性能提升推動的，更是由材料創新——特別是SiC功率器件的廣泛應用所驅動的。

從一開始，Qorvo的大多數SiC功率器件設計就符合AEC-Q101標準，這為其接下來進軍新能源汽車領域做好了準備；器件的最大操作結溫(Tj max op)可達到175°C，具有優秀的熱穩定性……透過種種跡象我們不難看出，Qorvo 的SiC市場戰略是一盤精妙的棋局，隨著在工業應用中繼續積累經驗和技術“量”，我們相信Qorvo 終將實現在SiC領域質的飛躍。