2024年7月9日，英飛凌在慕尼黑電子展（Electronica）期間召開媒體發布會，重磅發布了多款CoolGaN™系列新品。英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業務市場總監程文濤（圖左）、高級首席工程師宋清亮（圖右）出席了本次媒體會，為與會嘉賓帶來新產品的詳細介紹并回答了相關提問。

新品詳情

使客戶能夠將氮化鎵（GaN）的應用范圍擴大到40 V至700 V電壓的新一代中壓 CoolGaN™ G3 系列晶體管，及高壓 CoolGaN™ G5 系列晶體管。

新一代CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列采用英飛凌自主研發的高性能 8 英寸晶圓工藝制造

CoolGaN™ G3 中壓晶體管，覆蓋了 60 V、80 V、100 V 和 120 V 的 CoolGaN™ 晶體管電壓等級，以及 40 V 雙向開關（BDS）器件，主要面向電機驅動、電信、數據中心、太陽能和消費應用

基于GIT的新一代高壓產品650 V G5系列適用于消費、數據中心、工業和太陽能領域的應用

CoolGaN™ G3系列晶體管和CoolGaN™ G5系列晶體管

擁有出色的軟開關和硬開關性能，提供40 V、650 V 和 850 V電壓的CoolGaN™ 雙向開關（BDS）。

CoolGaN™ BDS 650 V 和 850 V：采用真正的常閉單片雙向開關，具有四種工作模式。通過使用一個BDS代替四個傳統晶體管，可提高效率、密度和可靠性，使應用能夠從中受益并大幅節約成本

CoolGaN™ BDS 40 V：基于英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術的常閉單片雙向開關，能阻斷兩個方向的電壓，并且通過單柵極共源極的設計進行了優化，以取代電池供電消費產品中用作斷開開關的背對背 MOSFET

相比背對背硅FET，使用40 V GaN BDS的優點包括節省50% - 75%的PCB面積、降低50%以上的功率損耗，以及減少成本

目標應用和市場涵蓋移動設備USB端口、電池管理系統、逆變器和整流器等

具有無損電流檢測功能，簡化了設計并進一步降低了功率損耗的CoolGaN™ 智能感應 Smart Sense。

2 kV 的靜電放電耐受能力，可連接到控制器電流感應以實現峰值電流控制和過流保護

電流檢測響應時間約為200 ns，小于等于普通控制器的消隱時間

具有極高的兼容性

目標應用和市場涵蓋消費電子設備的充電器和適配器

CoolGaN™ BDS和CoolGaN™ Smart Sense

目前，新產品供貨期已公布