【2024年7月9日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM半導體器件系列。這使客戶能夠將氮化鎵（GaN）的應用范圍擴大到40 V至700 V電壓，進一步推動數字化和低碳化進程。在馬來西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個產品系列采用英飛凌自主研發的高性能 8 英寸晶圓工藝制造。
英飛凌將據此擴大CoolGaNTM的優勢和產能，確保其在GaN器件市場供應鏈的穩定性。據Yole Group預測，未來五年GaN器件市場的年復合增長率（CAGR）將達到46%。
CoolGaN™ G3系列晶體管和CoolGaN™ G5系列晶體管
英飛凌科技電源與傳感系統事業部總裁Adam White表示：“這兩個系列的發布是建立在英飛凌去年收購GaN Systems的基礎之上，它們將為我們的客戶帶來更高的效率和性能。英飛凌新一代高壓和中壓CoolGaNTM系列展示了我們的產品優勢，并且完全采用8英寸工藝制造，證明了GaN在更大晶圓直徑上的快速擴展能力。我們期待客戶通過這些新一代GaN器件推出各種創新應用。”
全新650 V G5系列適用于消費、數據中心、工業和太陽能領域的應用。該系列產品是英飛凌基于GIT的新一代高壓產品。另一個采用8英寸工藝制造的全新系列是G3中壓器件，覆蓋了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaNTM晶體管電壓等級，以及40 V雙向開關（BDS）器件。G3中壓產品主要面向電機驅動、電信、數據中心、太陽能和消費應用。
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