混合電源方案怎么選擇器件？

SiC和GaN、Si等功率開關，特性都各有不同，因此可以說最貴的、最新的也未必是最好的，還得要看適不適合實際的應用場景。以開頭我們說到的英飛凌PSU方案為例，8kW PSU方案中，AC-DC級采用了多級PFC和SiC MOSFET，令該部分的效率高達99.5%，功率密度也達到100W每立方英寸；而DC-DC級上采用了GaN FET。在AC-DC級的PFC電路中，需要對高壓的交流電轉化成直流電，在這個過程中，為了提高能源利用效率，必須要降低損耗。同時，由于工作在高電壓、強電流的工況下，對器件的耐高溫、熱穩定性要求較高。SiC MOSFET的耐壓能力相對更高，且導通電阻相比硅基MOSFET更低、降低導通損耗能夠有效提高系統的效率。

開關速度上，SiC MOSFET也遠高于硅基器件，更高的開關頻率，可以令PFC電路工作在更高的頻率下，縮小磁性元件和電容器的尺寸，降低整體系統的體積。同時相比硅IGBT，SiC MOSFET沒有拖尾電流的問題，可以進一步降低開關損耗。在熱性能方面，SiC MOSFET具備良好的熱穩定性，可以在高溫環境下長時間工作，所以綜合來看，SiC MOSFET在AC-DC級的PFC電路中更有優勢。而在后級的DC-DC上，目前很多電源采用LLC拓撲，LLC轉換器的核心優勢之一是其軟開關操作，即零電壓開關（ZVS）和零電流開關（ZCS）。

因此，所選的功率器件必須能夠承受在ZVS或ZCS條件下頻繁開關，且在這些條件下具有低損耗。為了減小磁性元件的尺寸和提高效率，LLC轉換器往往工作在較高的頻率，因此功率器件需要能夠支持高頻開關而不增加過多的開關損耗。在導通狀態下，也需要器件具備低導通電阻的特性，以提高DC-DC整體的轉換效率，尤其是功率較大、電流較大的情況下。

GaN FET的開關頻率可以比硅MOSFET和SiC MOSFET更高，在開關過程中損耗極低，這種特性也與軟開關技術所匹配，采用GaN FET可以以極低的損耗在ZVS條件下快速切換，進一步提升了效率。所以在電源后級的DC-DC上采用GaN功率開關管相對更加適合。

混合分立器件和混合模塊

除了在電路中應用不同的器件，一些單管器件中也可以集成不同材料的器件，同樣是出于對器件的特性需求考慮。比如英飛凌面向光伏逆變器領域推出過一種650V混合SiC和硅基IGBT的單管產品，即將IGBT和SiC二極管做在同一個TO247-3/4封裝中。一般來說，硅IGBT單管其實是將IGBT和FRD（快恢復二極管）封裝成單個器件，而混合碳化硅分立器件將其中的硅FRD換成SiC二極管。由于SiC二極管沒有雙極型硅基高壓FRD的反向恢復行為，混合碳化硅分立器件的開關損耗獲得了極大的降低。

英飛凌將這種產品稱為混合SiCIGBT，兼顧了IGBT的高性價比和SiC二極管的超低反向恢復電流優勢。根據測試數據，SiC二極管對IGBT的開通損耗影響很大，在集電極電流Ic=25A時降低70%，總開關損耗能夠降低55%。基本半導體的測試數據也顯示，這種混合碳化硅分立器件的開通損耗比硅基IGBT的開通損耗降低約32.9%，總開關損耗比硅基IGBT的開關損耗降低約22.4%。SiC二極管在近幾年的價格得到了明顯下降，混合碳化硅分立器件整體的成本相比硅IGBT和硅FRD實際相差不會太大，因此未來會有很大的市場機會。

功率模塊方面，IGBT+SiC SDB的模塊已經較為常見，另外還有一種功率模塊是采用SiC MOSFET和硅IGBT混合封裝，目前業界的方案大概是使用2顆SiC MOSFET配套6顆硅IGBT封裝成模塊，當然這個比例還可以靈活調配。這種方式的好處是，可以同時利用SiC和IGBT的優勢，通過系統控制，令SiC運行在開關模式中，IGBT運行在導通模式。SiC器件在開關模式中損耗低，而IGBT在導通模式中損耗較低，所以這種模式有可能實現在效率不變的情況下，降低SiC MOSFET的使用量，從而降低功率模塊的整體成本。

對于實際的應用來說，方案能否快速實現推廣，還是要看成本是否有優勢。在過去SiC等第三代半導體產品價格居高不下，供應也無法跟上電動汽車等應用的需求爆發，成本過高自然也催生出一些比如IGBT+SiC SBD等的混合模塊方案。不過目前SiC、GaN等成本逐步下降，以及比如AI數據中心等的節能需求提高，相關電源等方案則更加著重于提高整體系統效率，根據應用需求來選擇在不同的電路中選擇更匹配的器件。